41.有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者錯誤？(A)集極面積大於射極面積(B)摻雜比例是射極多於基極(C)降低集極摻雜濃度，可提高其逆向崩潰電壓 (D)電晶體的電流是由多數載子所形成
42.有關石英晶體振盪器之敘述，下列何者錯誤？(A)石英晶體組成的振盪器頻率最為穩定(B)石英晶體是一種壓電效應之材料(C)石英晶片愈薄振動頻率愈低 (D)低頻振盪器一般採用RC電路為主
43•如【圖43】所示，二極體為理想，則電路之輸出電壓Vo為何？(A)2V(B)6V(C)8V(D)12V
44•某全波整流電路(中心抽頭式），當負載RL=lkH上產生169mW的功率消耗時，每個二極體的峰值反向電臟PIV)為多少?(A)24√2 (B)26√2 (C)12√2 (D)31√2
45•如【圖 45】之電路，若+VEE = + 15V，-VCC = -9.6V，RB=1.9MQ，RC = 2kQ，RE=lkQ，VEB = 0.6V，β =100，則下列何者錯誤？(A) IC=1
46.有40W輸出的放大器連接至10Q揚聲器上，若放大器的電壓增益為40dB，則額定輸出時其輸入電壓為何？(A) 40 mV(B) 100 mV(C) 200 mV(D) 400 mV
47•如【圖47】所示為一運算放大器電路，OPA為理想，試求輸出電壓VO。為若干？(A)-15V(B)-10V(C)-5V(D) 10V
48•如【圖48】所示電路，若如 忽略不計，下列敘述何者錯誤？(A)Zi= 500Ω(B)Zo= 5kΩ(C)Av= 10(D)此電路為共閘極放大電路
49•如【圖49】所示，電容C=100|iF，電阻R=5kQ，其初始值Vo=0V，輸入電壓Vi = lV，若開關SW在t=0時關上，則經過1秒後，輸出電壓Vo=： ?(A)IV(B)2V(C)-IV(
50•如【圖50】所示為555波形產生器，其輸出之波形週期的近似值為何？
51.如【圖51]所示為無穩態多諧振盪電路，裝配後經過測試後，結果Q1及Q2 —直保持為 ON，而沒有振盪，則 故障會在何處？(A)R2開路(B)R3短路(C)C1開路(D)R4開路
52•如【圖52】所示，直流工作點設置於VGS =-1.75，VDS = 6V，ID = 2.5mA，則RD與RS分別為： (A)2.5kΩ，1.5kΩ(B)3kΩ，1kΩ(C)2kΩ，2kΩ(D)
53.在RC耦合串級放大電路中，耦合電容C值必須甚大，其原囚為何？(A)級與級間之直流可順利通過(B)可使偏壓較穩定(C)散熱好(D)防止低頻信號衰減
54.若一放大器之輸入為10W，輸出為0.1W，則其功率增益為多少？(A)-40dB(B)-20dB(C) 40dB(D) 20dB
55.有關場效應電晶體(FET)之敘述，下列何者錯誤？(A)由多數載子負責傳導電流 (B)傳導電流之大小由靜電場控制(C)輸入阻抗一般較雙極注接面晶體BJT還高(D)載子為電洞者稱為N通道(charm
56•當JFET之逆偏壓VGS = VP時：(A)通道寬度最大(B)空乏區最小(C)ID = IDSS (D)ID = 0
57•若FET之參數gm=2mA/V，rd = 20kΩ，則放大囚數//為何?(A)10(B)40(C)50(D)60
58.有關理想運算放大器特性之敘述，下列何者錯誤？(A)開迴路增益無限大(B)輸入阻抗無限大(C)輸出阻抗無限大(D)頻帶寬度無限大
59.若做為線性放大器時，場效應電晶體應工作於何種區域？(A)區欠姆區(B)截止區(C)飽和區(D)三極區
60•如【圖60】所示，運算放大器為理想，且其飽和電壓為±12V，當Vs⑴=10mV，則Vo(t)= ?(A) 100mV(B)-10V(C)-IV(D)-12V
61.如【圖61】所示之理想運算放大器電路，流經稽納二極體之電流Iz = lmA，運算放大器之飽和電壓為±15 V，則R值 為何？(A)1kΩ(B)2.5 kΩ(C)3kΩ(D)5kΩ
62•如【圖62】所示之史密特觸發電路，若R2=2R1，且輸入電壓 ，則其輸出電壓 為何種波形？(A)正弦波(B)鋸齒波(C)三角波(D)方波
63.具有正回授之放大器有下列何種特性？(A)信號雜音比(S/N)增加(B)穩定性增加(C)產生振盪(D)增加頻寬~
64•如【圖64】所示，OPA為理想，Vo為多少？(A)-1V(B)-3V(C)-5V(D)-7V
65•如【圖65】中Vin=20V、Rs=2kΩ，稽納二極體DZ的參數為VZ=9.3V、IZK=lmA、IZK=5mA，若忽略其稽納電阻，且二極體D1之膝點電壓(Knee Voltage)為0.7V，