1 甲與乙在生產棒球與網球兩種球類之工廠當工人。甲每小時可生產10個棒球或4個網球,乙每小時可生產8個棒球或2個網球。如果經濟社會希望同時擁有兩種球,而且3個棒球值1個網球。為追求產出極大,甲與乙兩人
四、輻射生物學「多靶理論」的細胞存活曲線圖中有四個重要參數 D1(D37)、D0、n 和Dq。【題組】⑴請問上圖 a、b、c 和 d 對應於四個參數中的那一個,並請說明此四個參數所代表的意義。(a、b
五、核能電廠有一 85Kr 大雲團,濃度為 3.7 kBq/m3,有一工作人員沉浸於雲團內,請計算此人皮膚的吸收劑量率為多少 mGy/h?(組織對於 β- 的吸收係數計算公式為μ β ,t = 18.
六、將一 100 Bq 純β-射源(每次蛻變僅發射 1 個β-粒子)置於一充氣電流游離腔中,游離腔偵測效率為 50%。電流流經電路上 1011 Ω的電阻時會產生 2 mV 的電位降,請計算此β-射源的
二、⑴對於一工作於逆向偏壓的蕭特基二極體(Schottky Diode),若蕭特基二極體的半導體為 n 型,請問負電極是接在金屬邊或 n 型半導體邊?若蕭特基二極體的半導體為 p 型,請問負電極是接在
⑵對於 p 與 n 濃度皆為低度摻雜(Lightly Doped)的 p-n 二極體,當 p-n 二極體工作在很大的逆向偏壓會產生崩潰(Breakdown)現象,此時之電壓稱為崩潰電壓。當它的工作溫度
三、⑴現今半導體製程都使用 n 型高摻雜的多晶矽做為 npn 雙極性接面電晶體(BipolarJunction Transistor,BJT)的射極層與歐姆接觸層,以取代傳統的 n 型高摻雜單晶矽與金
四、⑴對於一金屬-氧化層-半導體的金氧半電容(MOS Capacitor)元件,若使用 p 型的基板,請畫出基板電荷對閘極電壓(Qsub versus VG)的關係圖,並指出累積區、空乏區與反轉區。(
⑵請說明在金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)中常觀察到的長通道效應與短通道效應,它的關鍵區隔是什麼?(
五、⑴ 通 常 成 長 二 氧 化 矽 ( SiO2 ) 或 矽 的 氧 化 層 薄 膜 的 方 式 有 熱 氧 化 法 ( ThermalOxidation)中的乾氧化(Dry Oxidation)
⑵若以熱氧化法(Thermal Oxidation)在矽晶圓上成長二氧化矽(SiO2)薄膜,已知矽的原子量是 28,矽的密度是 2.33;氧的原子量是 16;二氧化矽的密度是 2.2。請問矽晶圓消耗的
一、過去研究拮抗微生物與病原菌間的相互作用機制,通常僅達於假說階段,現今利用分子生物學之技術已能印證過去假說是否為人接受,請以抗生作用為例,說明分生技術有那些步驟與方法,可印證拮抗微生物所產生的抗生物