問題詳情
五、⑴ 通 常 成 長 二 氧 化 矽 （ SiO2 ） 或 矽 的 氧 化 層 薄 膜 的 方 式 有 熱 氧 化 法 （ ThermalOxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相沉 積 （ Chemical Vapor Deposition ） ， 與 電 漿 加 強 式 化 學 氣 相 沉 積 （ Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體（MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。（10 分）
參考答案
答案：A
難度：適中0.457014
統計：A(101),B(27),C(16),D(30),E(0) #
個人：尚未作答書單：自然失業的類型
用户評論
【用戶】Ying Oradee
【年級】國三下
【評論內容】http://tw.knowledge.yahoo.com/question/question?qid=1610022304733的第二題
【用戶】HsinLing Yen
【年級】高三上
【評論內容】靜態均衡之下，民眾採靜態預期假設 ，也就是實際物價水準=預期物價水準即P=G，國家考試幾乎都是採用靜態預期假設所以根據總和生產函數：Y=T+4(P-G)當P=G時，Y=T，T=1000，所以Y=1000貼上來以免網頁過期 @@