問題詳情
⑵若以熱氧化法（Thermal Oxidation）在矽晶圓上成長二氧化矽（SiO2）薄膜，已知矽的原子量是 28，矽的密度是 2.33；氧的原子量是 16；二氧化矽的密度是 2.2。請問矽晶圓消耗的厚度占成長出二氧化矽薄膜的厚度的百分之幾？（10 分）
參考答案
答案：C
難度：適中0.429268
統計：A(68),B(16),C(88),D(9),E(0) #
個人：尚未作答書單：自然失業的類型
用户評論
【用戶】Isaac Lee
【年級】小六上
【評論內容】請參閱總體經濟學-經濟成長篇章,從Solow的成長模型來找到steady-state
【用戶】霸葛
【年級】小二下
【評論內容】個人覺得更深入一點....Solow成長模型找最適儲蓄率即"黃金法則"(金律)
【用戶】서자걸
【年級】
【評論內容】黃金律下MP(K)=人口成長率 + 折舊率。