問題詳情

三、⑴現今半導體製程都使用 n 型高摻雜的多晶矽做為 npn 雙極性接面電晶體(BipolarJunction Transistor,BJT)的射極層與歐姆接觸層,以取代傳統的 n 型高摻雜單晶矽與金屬歐姆接觸層,請說明原因。(10 分)

參考答案

答案:C
難度:非常簡單0.915138
統計:A(9),B(12),C(399),D(16),E(0)

用户評論

【用戶】花侍

【年級】大一下

【評論內容】Lorenz curve 為 Gini coefficient 的前身即吉尼圖上 a、b 兩區塊的交界線a:綠線與紅線之間的區域b:紅線與藍線之間的區域gini 係數 = a / (a+b)當 Lorenz curve 為一直線:a / (a+b) = 0    →所得分配極度均勻 (集中度低)當 Lorenz curve 為直角線:a / (a+b) = 1    →所得分配極不均勻 (集中度高)