問題詳情

四、⑴對於一金屬-氧化層-半導體的金氧半電容（MOS Capacitor）元件，若使用 p 型的基板，請畫出基板電荷對閘極電壓（Qsub versus VG）的關係圖，並指出累積區、空乏區與反轉區。（10 分）

參考答案

答案：D
難度：簡單0.81039
統計：A(13),B(12),C(16),D(312),E(0)