5.有一增強型 N 通道 MOSFET,其 VT=2V,下列敘述何者正確?(A)若 VGS=1V 且 VDS=8V 則該 MOSFET 工作於飽和區(B)若 VGS=3V 且 VDS=6V 則該 MO
7.如【圖 7】電路所示,假設 VT=4V、VDD=24V 且已知 VGS=10V 時 ID=7.2mA,欲使 VDS=8V,則 RD 為何?(A)1KΩ (B) 5KΩ (C)10KΩ (D) 50
11.有關半導體之敘述,下列何者正確?(A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性(B) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電(C)P 型半導體是本質半導體摻雜 5 價元素所形成(D)矽(Si)質半導
12.有關稽納二極體崩潰種類之比較,下列敘述何者正確?(A)稽納崩潰之崩潰電壓較累増崩潰之崩潰電壓為高(B)稽納崩潰之空乏區寬度較累増崩潰之崩潰電壓為窄(C)累増崩潰型之稽納二極體摻雜濃度比例較低且具
20.有一差動放大器,其共模具斥比(CMRR)為 40dB、差模增益 Ad=100,若輸入共模信號 Vc=10V、差模信號 Vd=0.1V,則此差動放大器輸出為何?(A)11V (B) 20V (C)
21.有關電源電路中濾波電路,下列敘述何者正確?(A)濾波電路的主要目的為消除漣波,其功能如同一高通濾波電路(B)漣波因數(Ripple Factor,r%)判斷濾波電路好壞的指標,r%愈小漣波成分愈