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• 【題組】⑵品質因數（quality factor）。（20 分）
• 72. 適合作為整流電路輸出端的濾波電容器為下列何者？(A)塑膠膜電容器(B)電解電容器(C)雲母電容器(D)陶瓷電容器。
• 56. SCR 之閘極控制電路和負載使用相同的交流電源時導火延遲角（firing delay angle）祇能在下列何者間調整？(A)-90°～0°(B)90°～180°(C)0°～180°(D)0°
• 65. TTL 74LS47 適合驅動下列何者？(A)共陽極七段顯示器(B)共陰極七段顯示器(C)單色 LCD(D)彩色 LCD。
• 50. 下列對任一電晶體之崩潰電壓(BV)的敘述何者為正確？(A)BVEBO>BVCBO (B)BVEBO>BVCEO(C) BVCEO>BVCBO(D)BVCBO>BVCEO
• 80. 下列何者不是應用壓電效應特性所作成？(A)石英晶體(B)超音波感測器(C)麥克風(D)荷重元。
• 73. 整流電路負載不變的情況下，加大輸出電容可以使漣波減小，但應該注意二極體的何種規格？(A)最大反相峰值電壓(B)最大反相飽和電流(C)最大順向峰值電流(D)最大順向峰值電壓。
• 57. 有一個 470Ω 0.5W 5％誤差的電阻器，其色碼應為下列何者？(A)綠灰棕金(B)黃紫黑金(C)黃紫棕金(D)黃紫棕綠。
• 66. 次級線圈為 0 到 32V 的變壓器搭配橋式整流電路，其濾波電容耐壓最少為下列何者？(A)16V(B)25V(C)40V(D)50V。
• 51. 下列對電晶體的敘述何者為正確？(A)集射極電壓愈大，則基極有效寬度愈大(B)集射極電壓愈大，則集基極逆向偏壓 |VCB|愈小(C)集射極電壓愈大，則基射極順向偏壓|VBE|愈小(D)集射極電壓
• 81. 下列何者無法作為近接開關？(A)超音波感測器(B)應變計感測器(C)焦電型紅外線感測器(D)電容式位移感測器。
• 74. 峰值檢波電路可以檢測下列何種調變信號？(A)AM(B)FM(C)PM(D)PCM。
• 58. A 類可變電阻旋轉角度與阻值變化的關係為下列何者？(A)對數關係(B)直線關係(C)反對數關係(D)平方關係。
• 67. 標示為 28V 的稽納二極體，其內部崩潰機制為下列何者？(A)累增崩潰(B)稽納崩潰(C)隧道效應(D)熱跑脫效應。
• 52. 電晶體之 β 值會隨溫度的上升而有下列何種變化？(A)下降(B)上升(C)不變(D)視工作點而定。
• 82. 焦電型紅外線感測器無法應用在下列何種領域？(A)溫度感測(B)紅外線感測(C)濕度感測(D)近接感測。
• 75. 下列何者不具有 PN 接面？(A)肖特基二極體(B)肖特基電晶體(C)變容二極體(D)光電晶體。
• 59. 有一個電容器標示 104K，則此電容器之電容量為下列哪一個？(A)104pF(B)0.1nF(C)0.1μF(D)104μF。
• 68. 在室溫附近的矽二極體，溫度上升 20℃，反向飽和電流變為原來的幾倍？(A)0.25(B)0.5(C)2(D)4。
• 53. 下列敘述何者為正確？(A)FET 為電流控制元件(B)FET 為雙載子元件(C)BJT 為雙載子元件(D)BJT 為電壓控制元件。
• 83. 下列何者並非使用光電效應來完成訊號轉換？(A)焦電型紅外線感測器(B)紅外線光二極體(C)PIN 二極體(D)光閘流體。
• 76. 雙斜率 A/D 轉換器輸出的誤差受下列何種參數影響？(A)時脈(B)積分電容(C)積分電阻(D)參考電壓。
• 60. 塑膠膜電容器在誤差的標示上，使用下列哪一個英文字母代表 5％的誤差？(A)J(B)K(C)M(D)V。
• 69. 肖特基電晶體是將肖特基二極體置於下列何種接面？(A)JFET 的 GS 間(B)JFET 的 GD 間(C)BJT 的 BC 間(D)BJT的 BE 間。
• 84. CdS 是使用哪一種效應來完成信號感測？(A)霍爾效應(B)熱擾動效應(C)光電效應(D)光伏打效應。