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【題組】 ⑶列出電壓增益Av ≡ vo/vi及Gv ≡ vo/vsig的表示式。(6 分)
問題詳情
【題組】
⑶列出電壓增益Av ≡ vo/vi及Gv ≡ vo/vsig的表示式。(6 分)
參考答案
答案:A
難度:簡單0.867384
統計:A(484),B(31),C(2),D(41),E(0)
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四、英文作文(30 分)Write an essay in English of 350 to 400 words in which you argue for or against bilingua
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五、在臺灣外籍勞工健康檢查結果不合格項目絕大部分為腸內寄生蟲感染,請依傳染媒介或方式分類之,並請各舉出三種寄生蟲蟲名,並列舉日常生活中預防寄生蟲感染的方法。(15 分)
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二、試述聖誕紅之生育習性、花芽形成及開花之條件、花期控制與調節之方法,並敘述有何缺點與其解決之道。(20 分)
一、請簡述心電圖(ECG)之量測原理以及 ECG 訊號所代表之意義。(20 分)
二、如圖為一共源(Common source)放大器,該NMOS電晶體之臨限電壓(Thresholdvoltage)Vt = 1 V,gm = 1 mA/V,不計輸出電阻,即ro →∞,I = 1 m
六、請列舉可從牲畜肉品感染人類的寄生蟲(parasites)三種,並簡述其形態、傳染方式及引起症狀。(15 分)
一、我國應不應該制定「博物館法」?請說明你贊成或反對的理由。(25 分)
【題組】 ⑶以上⑵與⑴之結果,是否有矛盾的現象?(4 分)
一、我國行政程序法第 1 條:「為使行政行為遵循公正、公開與民主之程序,確保依法行政之原則,………,特制定本法。」請舉出行政程序法中,對於「民主程序」之相關法條規定。(25 分)
【題組】 ⑵求電壓增益Av ≡ vo/vi及Gv ≡ vo/vsig的值(視各C為短路)。(6 分)
一、何謂「道德危險因素」(moral hazard)與「心理危險因素」(morale hazard)?保險人對此兩種危險因素所導致的損失,是否要負賠償責任?並請以健康保險及汽車保險為例說明保險人如何管
三、休眠現象不只是種子,也見於植物各方面,如馬鈴薯塊莖的休眠,鬱金香、百合、水仙、洋葱等的鱗莖,唐菖蒲等球莖的休眠,草本芽的休眠,果樹林木等樹木芽的休眠,這些休眠現象,雖互有不同點,卻在很多方面有類似
七、有 一 機 率 密 度 函 數 f( y ) = 1/θ , 0 ≤ y ≤ θ 。 在 顯 著 水 準 α = 0.10 之 下 , 欲 檢 定H0:θ =2.0 vs. Ha:θ <2.
54.下列何者脂溶性最高,且口服生體可用率相對較低?(A)Atenolol(B)Bisoprolol(C)Propranolol(D)Timolol
【題組】 ⑶若RD值可調變,求可使電晶體維持操作於飽和區的RD最大值。(5 分)
16 火災調查應對起火處交界區域及重點處實施現場清理挖掘之手段,清理挖掘過程應擇要錄影或照相。若你為火災現場調查人員,請判斷下列清理挖掘之作為何者正確?(A)挖掘範圍以起火部位、起火處及其周圍為工作範
四、試述植物栽培時,人工補充光照的目的,並舉出三種不同的光源,說明其光譜組成性質之不同及其優缺點。在作物栽培上,如何組合最理想的人工照明方式及其應注意之事項。(20 分)
3 如圖示電路,等效電阻RT為多少Ω? 6 (A) 2 (B) 4 (C) 6 (D) 8
2 若一導線之長度增加為原來的 3 倍,直徑增加為原來的 2 倍,則其電導值變為原來的幾倍?(A)9/4 (B) 3/4 (C) 4/3 (D) 4/9
【題組】 ⑷求CS至少應多大,使此放大器之低-3 dB頻率ωL = 100 rad/sec(不計CC1、CC2之效應)。(5 分) VDDRDCC2vd voRsig CC1RL++vsig - VS
17 你為某消防局火調人員,於火災現場勘查時,發現疑有三相馬達單相運轉之可能,若於發生單相運轉時其負載率仍維持 100%,則其線電流值約為正常三相運轉時線電流值之多少?(A) 100% (B) 140
五、解釋名詞:(每小題 5 分,共 20 分)【題組】⑴prolification
一、臺灣自 1994 年行政院文化建設委員會推動社區營造政策中即有「產業文化化、文化產業化」概念,到了 2002 年又有「文化創意產業發展計畫」。1950 年代德國的文化批判學者阿多諾(Theodor
二、使用漸開線(involute)齒形作為齒輪時,試詳述傳動之優點三項及缺點一項,又請說明二漸開線齒輪互相嚙合傳動之必要條件為何?(15 分)
90. 如下圖為高鐵車站某一部乘客使用之油壓電梯的機械結構圖,其電梯箱重量 W1=1000kgf、移動距離 S=6m、平均移動時間 t=10sec、承載重量 W2=1625kgf,若忽略機械摩擦因素、
三、如圖電路,Qn與Qp均為增強型MOS電晶體,其臨界電壓Vtn = |Vtp| = 1 V,其輸出電阻ro均為∞。當工作於飽和區(Saturation Region)之汲極電流iDn與iDp分別為:
【題組】 ⑵reciprocal cross