問題詳情

三、考慮一個陡峭(abrupt)P+N接面,兩邊的雜質濃度分別為NA 與ND;NA>>ND。若接面處於平衡狀態,請由載子擴散、復合的觀點來說明接面空乏區(depletion region)、內建電場(built-in electric field)的生成機制,並指出內建電場的指向。若接面由內建電場產生的內建電位為Vbi,空乏區寬度為W;以空乏區近似法表出W與Vbi的關係式。半導體的介電係數為ε,單位電荷為q。(20分)

參考答案