問題詳情

8. 關於半導體偵檢器 PN junction 的描述下列何者錯誤？
(A)可自行產生接觸電位(contact potential)
(B)為了用於輻射偵檢，常加逆向偏壓(reverse bias)
(C)空乏區(depleted region)中的電阻很低、導電率很高
(D)為了增加輻射偵檢的效率，常加大空乏區(depleted region)

參考答案

答案：C
難度：計算中-1
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