資訊推薦

• 21.在相同激發交流電條件下，下列何種材質誘發之表面渦電流較小？(A)高導磁性、高導電性 (B)高導磁性、低導電性(C)低導磁性、低導電性 (D)低導磁性、高導電性
• 22.下列何者不是渦電流儀器的元件？(A)振盪器（Oscillator） (B)觸發器（Trigger）(C)電橋（Bridge） (D)放大器（Amplifer）
• 23.以等量之離距變化使探頭離開材料表面時，光點之軌跡是以何種方式移動?(A)線性 (B)非線性 (C)等比級數 (D)等差級數
• 24.下當檢測時，探頭移動速率相同而裂縫寬度為原來之5 倍時，裂縫信號的變化頻率為原來的多少倍？(A) 5 倍 (B) 10 倍 (C) 0.2 倍 (D) 2 倍
• 25.有關法拉第定律，線圈產生之感應電動勢敘述，何者正確？(A)與線圈匝數成反比，且與磁通量變化率成反比(B)與線圈匝數成正比，且與磁通量變化率成正比(C)與線圈匝數平方成反比，且與磁通量變化率成正比
• 26.若磁性管渦電流檢測前先進行磁飽和，當磁飽和完成後缺陷訊號之相位分離度會(A)降低 (B)提高 (C)無影響 (D)不一定
• 27.有一R-L 串聯線路，線圈之電感為200×10-6 亨利，阻抗|Z|為20 歐姆，若電流頻率為10 kHz，則其電阻為？(A) 6 歐姆 (B) 8 歐姆 (C) 15 歐姆 (D) 12 歐姆
• 28.材料之相對導磁率（µr）略大於１者，為何種材料之特性？(A)順磁性材料 (B)反磁性材料(C)鐵磁性材料 (D)材料磁性僅與絕對導磁率（µ）有關
• 29.渦電流檢測時，若欲獲得 "8" 字型的缺陷信號，應？(A)選用多頻檢測 (B)選用差異式線圈(C)使用旋轉式絕對線圈 (D)選用內外繞線圈
• 30.阻抗平面圖歸-化以後，其感抗與空線圈之感抗比值，下列敘述何者正確？(A)鈦合金之感抗值大於1 (B)鋁合金之感抗值大於1(C)碳鋼之感抗值大於1 (D)以上均是
• 31.利用霍爾探頭檢測材料表面之缺陷時，欲得最高的靈敏度則磁場方向與霍爾探頭之最大表面應呈？(A)平行 (B) 45° (C) 30° (D)垂直
• 32.在實際現場之應用上，下列配合比，何者具有最大靈敏度？(A) 1.1 (B) 0.90 (C) 0.89 (D) 1.01
• 33.若渦電流檢測線圈阻抗為Z = R + jωL，則當其由空氣中移至鋁材工件表面時，以下敘述，何者正確？(A) Z值一定變大 (B) L值一定變小 (C) R值不變 (D) L為固定值
• 34.下列那些物件不易達到磁飽和(A)較厚之材料 (B)高磁性材料 (C)管外之磁性支撐板 (D)以上皆是
• 35.為抑制無關變數對指示訊號之影響，通常可？(A)調整指針式儀器指示錶之增益，使無關變數的讀值變化減小(B)調整向量點顯示器之增益，使無關變數的軌跡固定在特定方向(C)調整向量點顯示器之檢測頻率，使
• 36.互感（Mutual Inductance）係指：(A)線圈與工件間之耦合 (B)二個線圈間之相互作用(C) ( A )與( B )皆是 (D)以上皆非
• 37.執行渦電流測試時，受測材料的變異可藉由____的變化來偵測。(A)檢測速度 (B)拾取線圈之頻率 (C)拾取線圈之阻抗 (D)以上皆是
• 38.以多頻渦電流內繞線圈做薄管檢測，有時將線圈繞成”之”字形目的是為了(A)增加渦電流 (B)使能檢出周向裂縫 (C)改善配合比 (D)以上皆是
• 39.表面探頭及外繞線圈檢測鋼棒時，下列何者錯誤？(A)外繞線圈對工件尺寸變化之檢測較不適用(B)一般而言，表面線圈之靈敏度、鑑別率較高(C)外繞線圈檢測時, 在線圈中之缺陷位置無法確定(D)表面線圈
• 40.導體內離表面2.7 個標準透入深度距離處的密度為表面渦電流密度的？(A) 37% (B) 36% (C) 27% (D)以上皆非
• 8. 下列何者並非由原子核所發射出的輻射？(A) X 射線 (B) α射線 (C) β射線 (D) γ射線
• 9. 已知空氣吸收游離輻射能量 34 焦耳，會產生 1 庫侖 電量，則在空氣中的吸收劑量D(Gy)與曝露 X(C/kg)之關係為下列何者？(A) D=X/34 (B) X=D/34 (C) D=1.1
• 15. 1GB 磁碟可以存放多少個中文字？(A) 512,000,000 個字(B) 256,000,000 個字(C) 536,870,912 個字(D) 以上皆非
• 16. 下列敘述何者正確？(A) 控制單元可說是電腦的核心，當資料由輸入單元送至記憶單元後，再將資料讀入此單元進行運算，最後才將運算的結果送回記憶單元(B) 電腦藉由控制單元將運算的結果顯示或列印出來
• 17. 軟體系統的開發有許多可能的模式，下列何者不屬於 software development lifecycle？(A) waterfall model(B) incremental model(