問題詳情

31.在P型與N型半導體接合時,接合面形成的空乏區,其作用爲何?
(A)抑制漂移電流
(B)增加漂移電流
(C)增加擴散電流
(D)抑制擴散電流

參考答案

答案:D
難度:適中0.418919
統計:A(8),B(14),C(15),D(31),E(0)