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• 5. 線性可變差動變壓器（LVDT）工作時，其是利用下列何者之改變量來產生輸出電壓之大小變化？(A)差頻(B)電阻(C)圈數比(D)位移。
• 39. 下列何者為光電晶體與 CdS 的反應時間？(A)光電晶體為 ms 級、CdS 為 μs 級(B)光電晶體為 μs 級、CdS 為ms 級(C)兩者均為 ms 級(D)兩者均為 μs 級。
• 30. 下列何者不是用來將對應物理量之改變轉換成電阻大小的變化？(A)Pt100(B)磁敏電阻(C)應變計（Strain Gauage，SG）(D)熱電偶。
• 62. 地形圖圖例中" "表示(A)草地(B)水田(C)鐵絲網(D)生籬。
• 14. 下列之比較說明何者為正確？(A)PUT 的 I 與 I 值均比 UJT 為低(B)PUT 的 I 與 I 值均比 UJT 為高(C)PUT 的I 值較 UJT 高，而 I 值較 UJT 低(D
• 6. 光敏電阻（CdS）之工作方式是屬於下列何種光電效應？(A)光電動勢型(B)光導電型(C)光電子放射型(D)光複合型。
• 40. 下列何者不是發光輸出的元件？(A)發光二極體(B)燈泡(C)液晶顯示器(D)陰極射線管。
• 31. 電阻式溫度檢測器（RTD）具有下列何種溫度係數？(A)正(B)負(C)零(D)臨界。
• 23. 數位積體電路元件之電源接腳旁經常有一顆 0.1μF 電容器，其作用為何？(A)整流(B)交連(C)耦合(D)消除雜訊。
• 15. 下列何者不是光電感測型元件？(A)光電晶體(B)光發射體(C)光遮斷器(D)光敏電阻。
• 7. 下列何種溫度計可量測的溫度範圍最高？(A)電阻式溫度計(B)輻射式溫度計(C)水銀式溫度計(D)雙金屬式溫度計。
• 41. 下列何者為熱能與電能的轉換元件？(A)電池(B)日光燈(C)熱耦(D)光電管。
• 32. 在下列何種溫度時，Pt100 溫度感測器的電阻值為 100Ω？(A)0℃(B)20℃(C)25℃(D)100℃。
• 24. 硒化鎘（CdSe）與硫化鎘（CdS）兩者之響應時間關係，下列何者為正確？(A)CdSe 較快(B)CdS 較快(C)兩者相等(D)依光的波長而異。
• 16. 太陽電池是利用下列何種效應作能量之轉換？(A)光導電效應(B)光伏打效應(C)光輻射效應(D)霍爾效應。
• 42. 下列何者為二次電池？(A)水銀電池(B)鋰電池(C)鹼性乾電池(D)鎳鎘電池。
• 33. 下列對臨界溫度熱敏電阻的說明何者為正確？(A)具有正溫度係數之特性(B)於臨界溫度範圍以外時，對溫度之反應很大(C)只針對某一特定溫度範圍時，其電阻值會變化大(D)於臨界溫度範圍以外時，電阻的
• 25. 下列何者可使矽控開關（SCS）導通？(A)陽閘極加正脈波(B)陽閘極加負脈波(C)陰閘極加負脈波(D)陰閘極接地。
• 43. 下列元件何者具有負電阻區之特性？(A)變容二極體（Varactor）(B)光二極體(C)透納（Tunnel）二極體(D)齊納（Zener）二極體。
• 34. 磁敏電阻是一種將磁通密度大小轉換成下列何種電特性之元件？(A)電壓變化(B)電流變化(C)電阻變化(D)頻率變化。
• 44. 霍爾（Hall）元件是一種將磁通大小轉換成下列何種電特性之元件？(A)電壓變化(B)電流變化(C)電阻變化(D)頻率變化。
• 45. 矽電晶體之VCE(sat) 值約為下列何者？(A)0.2V(B)0.6V(C)0.8V(D)2.0V。
• 46. 矽電晶體之VBE(sat)值約為下列何者？(A)1.2V(B)0.8V(C)0.5V(D)0.3V。
• 54. 下列敘述何者為正確？(A)FET 的熱穩定性較 BJT 差(B)FET 的輸入阻抗較 BJT 小(C)FET 的雜訊免疫力較 BJT高(D)FET 的操作速率較 BJT 快。
• 47. 某一電晶體之 α 值為 0.96，則其 β 值應為下列何者？(A)24(B)36(C)48(D)60。