問題詳情

四、一 增 強 型 n- 通 道 金 氧 半 場 效 電 晶 體 ( NMOS transistor ), 於

時,測得其汲極電流

= 6 mA,並於

=8 V時測得

=1.5 mA ,試求其臨界電壓(threshold voltage)

值與製程參數(process parameter)β 值,其中

為製程互導參數、(W / L)  為寬長比。(25 分)

參考答案