問題詳情

18. 有一增強P通道MOSFET，已知臨界電壓VT= -2.5，若汲極電壓VD= 4 V，源極電壓VS= 8 V，直流閘極電壓VG= 3 V，試問其MOSFET應處於何種工作區？
(A)飽和區
(B)歐姆區
(C)截止區
(D)逆向工作區

參考答案

答案：A
難度：簡單0.647
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用户評論

【用戶】阿中

【年級】小二下

【評論內容】P-EMOS飽和區條件: 1、VGS<=VT 。2、VDG<=-VT。截止區條件:VGS>VT。歐姆區條件:1、VGS<=VT。2、VDG>=-VT。 VGS=Vg-Vs=3-8=-5VVDG=VD-VG=4-3=1VVGS=-5< VT=-2.5 =>符合飽和區條件1VDG=1V <-VT=-(-2.5) =>符合飽和區條件2故工作於飽和區。