問題詳情

24. 下列有關增強型金氧半場效電晶體(EMOSFET)之導電參數(K)之敘述，何者錯誤？
(A)與通道寬度成正比
(B)與通道長度成反比
(C)與電子遷移率成正比
(D)與閘極氧化層厚度成正比。

參考答案

答案：D
難度：適中0.5
統計：A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)