二、如 圖 所 示 為 一 由 NMOS 放 大 器,其 偏 壓 電 路 使 N-MOSFET 的 I D = 1 mA 且|VOV| = 0.1 V。在不考慮通道長度調變效應的條件下,求 Rin 與 vo/vi。(20 分)
【用戶】BaiQi Chen
【年級】大一下
【評論內容】詞中三李:李白、李煜、李清照 (李白的玉照)