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• 四、請說明為什麼半導體在離子佈植後，熱處理需要使用比較高的溫度來進行？（5 分）
• 【題組】 (二)在接觸電 阻的量測技 術， 我們常 使用 一種 稱為傳 輸線 方法（ transmission line，請描述此方法如何量測接觸電阻。method） （10 分）
• 八、繪圖說明何謂等向性蝕刻（isotropic etching）、非等向性蝕刻（anisotropic etching）？以HF和HNO3混合溶液蝕刻Si是屬於那一種？（10 分）
• 七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜，如果要用氧化的方式，將 Si 厚度減薄到 50 nm，請問需要成長多厚的氧化層？（10 分）
• 八、在量測半導體晶片或磊晶層的濃度，我們通常使用霍爾效應（Hall effect）及電容-電壓（C-V）方法。【題組】(一) 請說明這兩種量測方法的基本原理。（10 分）
• 六、請畫出Metali/SiO2/p-type Si在accumulation, depletion, inversion三種狀態的能帶圖。（15 分）
• 一、民國 97 年 8 月 1 日施行之入出國及移民法，請問其在民國 96 年 12 月修正之主要內容有那些？（15 分）
• 七、在製作元件的歐姆接觸（ohmic contact）技術中，我們通常在元件的表面層摻雜高濃度，再鍍上蕭特基（Schottky）金屬層，或者在元件表面層鍍上合金金屬層，接著進行熱處理而製作歐姆接觸。【
• 六、以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx，為什麼？（10 分
• 四、若某一輻射樣品之總計測時間為 6 分鐘，今測得射源加背景之計數率為 100 cps、背景計數率為 4 cps：（20 分）【題組】⑴為使計測誤差最小，則射源與背景計測時間應如何分配？
• 五、通常在離子佈植過程中，我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域；而在擴散過程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼？（10 分）
• 42. 調頻系統中，聲頻信號愈高，則受雜音干擾的機會(A)愈大(B)愈小(C)不受影響(D)不一定。
• 【題組】 ⑶如有一蓋革計數器為 nonparalyzable 型式，其分解時間為 300μs，觀察到的計數率為 60000 cpm，求真實計數率。
• 二、蓋革計數器需考慮無感時間對計數率之影響：（20 分）【題組】⑴說明蓋革計數器之無感時間（dead time）、分解時間（resolving time）及恢復時間（recovery time）。
• 【題組】 ⑵在此時間分配條件下，求射源之淨計數率（cps）及其標準差。
• 29. 有關 LED 顯示器之特性，下列敘述何者正確？(A)單色性好，色彩鮮豔豐富(B)壽命長，抗震性差(C)高效率，低耗能(D)體積小重量輕。
• 一、地方制度採用權力分立制後，對府會關係和諧有何不利影響？試回答下列問題：（25 分）【題組】⑴府會關係的理性模式。
• 51. 下列有關工作方法之敘述何者不正確？(A)烙鐵架上的海棉可清除烙鐵頭上之餘錫，故海棉應加水(B)多芯線使用於 PCB 板銲接時，剝線後使用前應鍍錫處理為宜(C)銲接電子元件（如電晶體）時，電烙鐵
• 【題組】 ⑵試舉出二種度量無感時間的方法，並說明之。
• 六、若一光阻塗佈於晶圓上，其圖案如圖二，請於試卷上繪出【題組】⑴濕蝕刻，⑵電漿蝕刻，
• 48. 下列何者是可能引起電氣火災的原因？(A)電荷聚集產生靜電火花放電引燃易燃物(B)因開關啟斷時所發生火花引燃(C)電源相序錯誤(D)電銲產生之火花引燃。
• 6.我國《地方制度法》對於行政層級的畫分和所轄的次級地方組織，都有詳細的規定。下列有關「桃園市大園區」與「臺東縣池上鄉」之敘述，何者正確？(A)前者為市府派出單位，後者為地方自治團體(B)二者皆為縣級
• 三、以 NaI（Tl）能譜儀度量能量為 2 MeV 之γ射線時，能譜上可能出現單逃逸峰（singleescape peak）、雙逃逸峰（double escape peak）及康普吞邊緣（Compto
• 49. 下列有關工業安全之敘述何者正確？(A)工場中有危險的工作區或重機械區，應列為拒絕他人參觀區，並以黃色實線標示(B)測量光線明亮程度的儀表是照度表(C)可以使用斜口鉗來清潔烙鐵頭(D)使用中心沖
• 五、利用10B核種可量測中子：（20 分）【題組】⑴試說明係利用那一種核反應？該反應之 Q 值多少？