資訊推薦

• 30.發射機之發射功率為 20 瓦特，若發射端的天線增益為 12 dB，纜線接頭等相關的損耗為 5 dB， 請問發射端之等效發射功率 EIPR(Equivalent Isotropically Rad
• 31.已知矽在溫度 300 K 時的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration) ni為 1.5×1010cm−3，若摻雜的受體(acceptor)濃度 na為 10
• 32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為 10−13 A，則在同樣溫度下、逆向偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何？(A) 2.5×1
• 33.某一齊納二極體(Zener diode)流過 5 mA 時的跨壓為 3.65 V，若流過 10 mA 時的跨壓為 3.70 V，則其等效串聯電阻(equivalent series resist
• 34.假設交流電源vs= 110 sin(2✖ 60t) V，則經半波整流後的平均輸出電壓為何？(A)110 V (B) 110 V (C)110 / πV (D)110 /πV
• 35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper)，若 vi = 10 sin (2π×60t) V 且 VB = 8 V，則 vo的最大值為何？ (A) 0 V(B) 2 V(C) 10 V(
• 36.根據穩壓率的定義： ，若 VO,nor = 5 V、VO,max = 5.5 V，請問下列 VO,min的值符合 5%的穩壓率要求者為何？(A) 5.0 V (B) 5.1 V (C) 5.2
• 38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓，則該 BJT 的操作模式為：(A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region)
• 39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99，則其共基極電流增益(common-base current gain) α為何？(A) 0.
• 42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器，則下列敘述何者錯誤？(A)計算直流偏壓條件時，C1與 C2可視為開路(B)集極到基極間電壓約等於
• 43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器，下列敘述何者錯誤？(A)輸入電阻小、輸出電阻大(B)又稱為射極隨耦器(emitter follower)(C)適合作為緩
• 45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述，下列何者錯誤？(A)只含一個 pn 接面，是一種單極性元件(unipolar de
• 46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V，當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、且 VGS為一固定值−1
• 47.如【圖 47】所示的 JFET 電路，IDSS = 12 mA 且 VP = −3 V，請問下列 RD值何者可以使該 JFET 操作於夾止區？(A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C)
• 48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述，下列何者錯誤？(A)閘極與半導體通道
• 49.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V，當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時，ID值為何？(A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D)
• 50.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V，當 VDS = 4 V 時，則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何？(A) 1 : 1 (B) 16 :
• 51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V，且在 VGS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA，則 VG
• 52.如【圖 52】所示電路，下列敘述何者錯誤？ (A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區(B)當 V 小於 VT時，此電路視同開路(C)此電路經常取代電阻作為負載使用(D)其小信號等效電阻與直流偏
• 53.在一差動放大器(differential amplifier)中，已知其共模增益(common-mode gain) Acm=−2×10−4，共模拒斥比(common-mode rejectio
• 55.有關 AB 類輸出級(class AB output stage)的敘述，下列何者錯誤？(A)操作模式與 A 類輸出級類似 (B)輸入電壓極小時，兩個電晶體均導通(C)交越失真(crossove
• 56.有關各類放大器組態的頻率響應說明，下列何者錯誤？(A)共源極(common-source, CS)放大器的高頻響應受限於米勒效應(Miller effect)(B)共源極(CS)放大器的頻寬可以
• 57.下列何者非運用負回授(negative feedback)技巧的好處？(A)提高增益 (B)調整輸入／輸出阻抗 (C)降低非線性失真 (D)提高訊雜比(signal-to-noise ratio
• 58.大型積體電路(large-scale integrated circuit, LSI circuit)所含的邏輯閘數目約為：(A) 10 ~ 100 個 (B) 100 ~ 1000 個 (C)
• 59.在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數，其間正確的大小關係為：(A) VOH ＞ VIH ＞ VIL ＞ VOL (B) VOH ＞ VIH ＞ VOL ＞ VIL (