資訊推薦

• 11.一增強型 MOSFET 之臨界電壓 = 1 V，K = 0.5 mA/V2，gm = 1 mA/V，則 應是多少？(A) 2V (B) 3V (C) 4V (D) 5V
• 7.邊長為r的正方形四角上,各有30、29、-4q及2g四個點電荷·中央0點上另有點电荷g,则作用於的電力為若干?  (A) (B)
• 12.下列關於智慧電網的敘述何者有誤？(A) 可藉由自動化及資訊化以整合發、輸、配電及用戶(B) 通訊技術是重要關鍵(C) 可進行需求面管理，抑制尖峰負載(D) 我國預計 2025 年達成電網全面智慧
• 13.平衡三相電壓源供應三相 Y 接負載，線電壓與相電壓之相位差為：(A) π/2 (B) π/3(C) π/6 (D) π
• 14.關於提高輸配電電壓的優點，下列敘述何者有誤？(A) 可降低線路壓降 (B) 可降低漏電流 (C)可降低線路損失 (D) 可提高輸電功率
• 20. 一質量m的行星繞質量M的恆星作橢圓軌道運動,已知近日點至恒星距離與遠日點至恆星距離為1:3,於遠日點時速率為v,於近日點時的脫離能為(A) (B) (C) (D) 6mv2 。
• 15.如圖 1，若 = 2V，K = 1 mA/V2，VDD = 10 V 且 ，則 Vo 為何？ (A) 2V (B) 3V (C) 4V (D) 8V
• 8.半径比為3:2的二小銅球,電量比為6:1,相距為d時互吸之力為F(二球之距離遠大於各球的球半徑)今使二球接觸後再分開,使二球相距為2d,則互斥之力為(A) (B)
• 9.下列有關「等位線與電場」實驗的敘述何者正確?(A)先作電力線,再作等位線 (B)先作等位線,再作電力線。
• 10.一帶正電之玻璃,吸引一極輕之金屬小球,據此可測定該小球(A)帶負電或不帶電(B)帶負電
• 11.點电荷Q、Q及Q'(Q與Q'均為正)分別位在一個正三角形的三個頂點上,如右圖所示。若正三角形中心處的電場為零,則0與間的關係為下列何者?  (A) Q'=Q (B)
• 16.關於右列複變函數何者正確？ (A) 有 3 個在無限遠的零點 (B) 構成一個非最小相位系統(C) 有 3 個有限極點 (D) 低頻增益趨近於 10
• 12.中空金屬塊的表面之浄電荷的電量增加,則內部電場強度(A)視金屬塊形狀而作不同的變化(B)不變
• 13.一電荷在静電场中自一點移至另一點時,其電位能的改變(A)只和兩點位置有關,而與移動所經途徑無關(B)只和移動所經途徑有關,而與兩點位置無關
• 17.對一單階零點波德圖的敘述何者正確？(A) 在轉角頻率，實際增益與近似值間誤差為 3 dB(B) 比轉角頻率高二倍頻程處與實際值差 2 dB(C) 與轉角頻率低二倍頻程處與實際值差 2 dB(D)
• 18.電力變壓器開路測試測得之電流為：(A) 銅損電流 (B) 鐵損電流 (C) 漏電感電流 (D) 激磁電流
• 19.下列何者不是決定系統穩定度的方法之一？(A)勞斯表 (Routh’s tabulation) (B)梅森公式 (Mason's formula)(C)波德圖 (Bode plot) (
• 20.關於 PI 控制器(proportional integral controller)，下列敘述何者正確？(A) 具高通濾波器特性 (B) 會降低系統的相位邊限(C) 頻寬將提高 (D) 穩態誤
• 21.有一部它激式(Separately Excited)直流電動機驅動固定轉矩負載，若降低磁場電流，則：(A) 轉速降低 (B) 電樞電流降低 (C) 轉速增加 (D) 電樞電流增加
• 22.下列何者是有關共汲極(common-drain) MOSFET 放大器的正確敘述？(A) 接成靴帶式(bootstrap) 電路的目的是提高輸入阻抗(B) 等效輸入阻抗很低(C) 等效輸出阻抗很
• 23.感應電動機採用繞線式轉子可以：(A) 提高運轉效率 (B) 降低啟動電流(C) 提高崩潰轉矩 (D) 提高啟動轉矩
• 24.以下何者定義了 MOSFET 的安全工作區(safe operation area)？(A) 最大洩極電流(IDmax) (B) 穩定度最大洩源電壓(VDSmax)(C) 二次崩潰(second
• 25.系統回授會影響以下那些性能？(A) 阻抗 (B) 穩定度 (C) 頻寬 (D) 靈敏度
• 26.若一控制系統的迴路增益可表示為 KP(s)/Q(s)，其中 K 為常數，則下列關於根軌跡(root loci)分析的敘述何者正確？(A) 根軌跡表示參數 K 在變動範圍中，根的分布軌跡(B) K
• 21.兩物體質量比為1:4,相距d時,藉互相作用之萬有引力F,由靜止起互相拉引至相距為 時,則質量較小者動能為何?(A) (B) Fd (C) (D) 。