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5.渦電流動態檢測過程中,若外界有 20 Hz 之馬達旋轉訊號,缺陷信號為 100-300Hz 電磁干擾雜訊為高頻 40 KHz 時,其濾波宜用?(A)高通濾波 (B)帶通濾波 (C)低通濾波 (D)
問題詳情
5.渦電流動態檢測過程中,若外界有 20 Hz 之馬達旋轉訊號,缺陷信號為 100-300Hz 電磁干擾雜訊為高頻 40 KHz 時,其濾波宜用?
(A)高通濾波
(B)帶通濾波
(C)低通濾波
(D)以上皆可
參考答案
答案:
[無官方正解]
難度:
計算中
-1
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4.使用多頻檢測時,至少需使用幾個頻率方可消除一個不必要之變數?(A)一個 (B)二個 (C)三個 (D)四個
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6.以相位分析法做渦電流檢測時,通常我們會利用相位調整鈕,將內繞線圈在管內晃動的訊號軌跡調整在?(A)垂直方向 40° (B)近乎水平 (C)無固定方向 (D)垂直方向 45°
資訊推薦
7.以外繞線圈檢測銅管表面裂縫,若配合比由 0.90 改變為 0.81 時,則標準透入深度會?(A)減小 (B)變大 (C)不變 (D)不一定
8.以表面線圈檢測平板表面之裂縫,若探頭與表面間距增大時,則裂縫訊號會?(A)減小 (B)相位角變大 (C)增大 (D)以上皆非
9.以內繞線圈檢測銅管內面裂縫,若配合比由 0.72 改變為 0.95,則裂縫訊號會?(A)不變 (B)伴隨更大雜訊 (C)減小 (D)變大
10.以差異式自我比較線圈探頭(內繞式)檢測熱交換管時,管外壁輕微凹陷有何顯示產生?(A)有清晰的顯示,角度位於 10-40 度之間(B)有清晰的顯示,角度位於 120-150 度之間(C)有清晰的顯
11.什麼情況下要重新檢測?(A)發現裝備不穩定時 (B)難以判斷是缺陷或無關顯示(C)重新校準不合格時 (D)以上都要
12.下列何種因素會造成金屬敷層厚度量測之不準確?(A)線圈距工件邊緣太近 (B)工件表面有銹蝕斑點(C)工件材質與校正時所用基材材質差異太大 (D)以上皆是
13.使用多頻渦電流檢測方法之優點為:(A)可以免除校準手續 (B)可將支撐板等干擾因素混波去除(C)可將電磁干擾因素混波去除 (D)檢測速度不受限制
14.下列中何者對檢測用校正試片的描述是錯誤的?(A)檢測校正試片之材質特性和形狀與被檢物相近(B)檢測校正試片可用來製作校準曲線(C)檢測校正試片可用來調整檢測感度(D)檢測校正試片可用來評鑑儀器功
15.運用較窄之差異式外繞線圈來檢測管件或棒件,則易探測出:(A)緩慢變化之尺寸 (B)緩慢變化之導電率(C)較緩慢之表面硬度變化 (D)較小之表面缺陷
16.指針式渦電流儀器歸零調整時,須將探頭?(A)置於試片之無缺陷處 (B)遠離試片(C)置於試片上方約 2mm 處 (D)任何位置皆可
17.對易於產生熱漂移之檢測,宜用何種線圈探頭以減低熱漂移所造成的影響?(A)差異式線圈 (B)絕對線圈 (C)表面線圈 (D)法拉第線圈
18.渦電流檢測中,如欲更換型式相同之線圈,則換好後:(A)若線圈以前曾經校準則可直接使用 (B)仍須重新校準後才能繼續檢測(C)只要相位差不大,無須再校準 (D)即可檢測,因線圈型式未變
19.有一銅管外徑為 1.0 吋,內徑為 0.9 吋,欲以外徑為 0.8 吋而內徑為 0.7 吋之單繞絕對線圈檢測, 則其配合比約為?(A) 1.56 (B) 1.26 (C) 0.79 (D) 0.
20.對於向量點式渦電流儀器應如何調整增益大小?(A)越大越佳,可增加靈敏度 (B)越小越好,使大訊號不致 CRT 飽和(C)參照程序書規定 (D)大小不影響檢測結果
21.渦電流儀器歸零調整時,須將探頭?(A)置於試片之無缺陷處 (B)遠離試片(C)置於試片上方約 2mm 處 (D)任何位置皆可
22.渦電流儀器於調整 dB 控制轉鈕後,尚須調整甚麼轉鈕才能將操作點置於檢測螢幕上:(A)平衡轉鈕 (B)增益轉鈕 (C)頻率轉鈕 (D)離距轉鈕
23.關於導電率量測規定(ASTM E1004),下列何者錯誤?(A)線圈與被檢物邊緣距離必須在 5 倍線圈直徑以上。(B)被檢物缺陷與線圈必須間隔 2 倍線圈直徑以上。(C)被檢物厚度須大於 2.6
24.以差異式自我比較線圈探頭(內繞式)檢測熱交換管時,對管外壁之沖蝕造成之均勻性且少量變薄的情形,有何訊號顯示產生?(A)有一對稱而清晰的顯示 (B)有一大而明顯的顯示(C)無明顯的顯示 (D)以上
25.以外繞線圈檢測銅管表面裂縫時,若原先設定之頻率無法檢測到內表面缺陷,則應?(A)提高導電率值 (B)增加感度 dB 數(C)增加頻率 (D)減低頻率
2.下列有關渦電流檢測之敘述,何者正確?(A)渦電流信號之相位與缺陷深度無關(B)渦電流可檢測塑膠表面之缺陷(C)渦電流之路徑為封閉曲線(D)渦電流之透入深度,隨著導電率之增加而增加
3.關於導磁率,下列敘述,何者不正確?(A)金屬之熱處理及冷作狀況會影響導磁率(B)材料之溫度會影響導磁率(C)原子核外之電子運動狀況是導致物質導磁率不同的因素之一(D)導磁率為一常數
4.探頭與導體表面之距離越大,則?(A)渦電流之密度會減少 (B)渦電流之密度會增加(C)渦電流之相位會超前 (D) A、C 均對
5.用渦電流檢測法測量導体上之導電塗層厚度是應用?(A)離距效應 (B)厚度效應(C)集膚效應 (D)離距與導電率之總效應
6.下列何者非為渦電流檢測之功能?(A)金屬表面硬度之鑑別 (B)金屬管微小尺寸變化之量測(C)玻璃纖維複合材料表面殘留應力之量測 (D)金屬表面塗層膜厚之量測
7.阻抗平面圖歸一化是?(A)將 X 及 Y 軸數值同時除以線圈之電阻值(B)將 X 及 Y 軸數值同時除以空線圈之阻抗值(C)將 X 及 Y 軸數值同時除以空線圈之感抗值(D)以上皆非