問題詳情
7 有關反及閘快閃記憶體（NAND flash memory）敘述，下列何者錯誤？
(A)區塊（block）是比頁面（page）小的管理單位
(B)如果重複更新某個位址的內容，則該位址的材質容易永久損壞
(C)一般隨機讀取的時間比硬碟快
(D)移除電源後，資料仍可保留
參考答案
答案：A
難度：困難0.279
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用户評論
【用戶】洪小漢
【年級】小一下
【評論內容】NAND Flash[編輯]東芝在1989★★★★...
【用戶】亦安
【年級】大四上
【評論內容】(A) page是NAND Flash上最小的讀/寫單位 (快閃記憶體晶片是由一組資料儲存單元陣列組成的，包含許多個塊，每個塊又包含許多個頁)(D) 快閃記憶體(FLASH)是一種非易失性儲存器，即斷電資料也不會丟失。