【用戶】Felix Tsai
【年級】國二下
【評論內容】化學位移Chemical shift:1. 接在無陰電性的烷基質子如：CH3、CH2基上的質子，則δ為0.2~2ppm2. 接在有陰電性原子或基團上的質子如：O、N、F、Cl、CN、C=C、C=O基上 的質子，則δ為2~5ppm3. 與C=C連接的質子，則δ為4~7ppm4. 與芳香環連接的質子，則δ為6~9ppm44 苯環、醛基結構上的質子化學位移都比一般不飽和氫高，其原因是： (A)電子的遮蔽效應（shielding effect） (B)各向異性效應（anisotropic effect） (C)共振效應（mesomeric effect） (D)誘導效應（inductive effect） 編輯私有筆記及自訂標籤專技 - 藥物分析與生藥學(包括...
【用戶】過過小藥師
【年級】大二上
【評論內容】化學位移總整理(1) 通則：1烷，2酮(C=O上接CH3、CH2、CH)，2.5炔，3~4醇醚鹵，5~6烯(烯上H)，7~8苯(苯上H)，9醛(醛上H)，10酸(酸上H)口訣：1晚2人同行2.5千加酒迷擄34千56點吸78點到苯壘9點醛給他10點痠痛(2) 烷的細分：烯上接CH3為1.7，苯上接CH3為2.3，N上接CH3為2.4口訣：1晚一次洗兩個笨蛋(3) 鹵的比較：電負度越大越易拉電子，所以使H的遮蔽變小，化學位移變大例如：H的化學位移CH3-F>CH3-Cl(4) 苯上鄰間對的判別：影響程度為鄰位>對位>間位，推電子基使會化學位移下降，拉電子基使會化學位移上升(鹵例外，鹵是拉電子基但會使化學位移下降)推電子基(→↓)：-NH2、-NR2、-N-CO-R、...