問題詳情

14. 有關場效電晶體，下列敘述何者有誤？(

為汲極電流，

為閘極電流)
(A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體
(B)場效電晶體的主要型式有接面場效應(JFET)、空乏型MOSFET、增強型MOSFET
(C)場效電晶體以控制通道之寬度達到控制

大小之目的
(D)對場效電晶體的

影響最大的是

參考答案

答案：D
難度：非常簡單0.829
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用户評論

【aidy922000】評論

影響id為VGS

【林建宇】評論

電流方程式ID= kn'(W/L)Vov^2   因此電流的影響為VGS   且電流也與寬長比(W/L)有關gate 端 因為是二氧化矽製程，所以具有無窮大的阻抗，可視為玻璃斷路(open)在交流小訊號分析時，gate 和source 形成斷路  ，因此IG 是無電流的，閘級如同絕緣體