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44. 某N通道增強型MOSFET放大電路,MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)Vt = 2 V,參數K=0.3 (mA/V2),若MOSFET工作於夾止區(飽和區),且閘源極
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46. 如右圖所示電路,假設使用理想運算放大器,R1 = R4 = 10 kΩ,R2= 20 kΩ,C1=0.2μF,C2=0.1μF,試求在巴克豪森(Barkhausen)準則下,此電路產生振盪的R
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