問題詳情
22. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓VT = -2 V，假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V，欲使此元件操作在飽和區(saturation region)，則汲極(drain)之最高電壓為何？
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V
參考答案
答案：D
難度：困難0.388889
統計：A(5),B(1),C(9),D(14),E(0)
用户評論
【鍾佩君】評論
飽和條件:1通道形成VGS<VT2.GD間通道夾止 VGDVT，0-VD=-2 VD<=2 VGS-VTVDS，0-5-(-2) VD-5，-3VD-5，2=VD