問題詳情

17 如圖之MOS差動放大器（differential amplifier），Q1=Q2，其臨界電壓（threshold voltage）Vt=0.5 V，爾利電壓（Early voltage）VA→∞。當VG1=VG2=0 時，若電晶體工作於飽和模式（saturation mode），其汲極電流ID與閘源電壓VGS的關係為ID=2(VGS-Vt)2 (mA)。 則當VG1=VG2=0 時，RD之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？

 
(A)3 kΩ
(B)4 kΩ
(C)5 kΩ
(D)6 kΩ

參考答案

答案：C
難度：適中0.608696
統計：A(5),B(1),C(14),D(2),E(0)

用户評論

【declin7912(鐵特】評論

VG1=0V    飽和區  VG1D1<=Vt   我們可以知道   0-(2-id1*RD)<=0.5   id1=0.5I=0.5m整理   0.5mRD<=2.5 RD<= 5K   最大值5K歐姆

【劉翰倫(鐵路電子工程已上榜】評論

感謝!!

【lexmvrk】評論

不懂