問題詳情

80. 下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性？
(A)製程簡單，價格便宜
(B)耐高溫
(C)低切換損失
(D)切換速度快。

參考答案

答案：B,C,D
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增