問題詳情

23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式（saturation-mode）時，其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓（overdrivevoltage）Vov的關係為：
(A) ID正比於 1/Vov
(B) ID與 Vov無關
(C) ID正比於 Vov
(D) ID正比於 Vov2

參考答案

答案：D
難度：適中0.666667
統計：A(4),B(5),C(6),D(52),E(0)