問題詳情

44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區,其導電參數 K = 0.5 mA/V2,若直流工作點之汲極電流為 ID=8 mA,試求 gm 為何?
(A) 2 mS
(B) 4 mS
(C) 6 mS
(D) 8 mS

參考答案

答案:B

統計:A:1,B:4,C:0,D:0,E:0

難度:計算中