問題詳情

8下列有關「絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)」之特性敘述何者錯誤?
(A)具有雙極性接面電晶體(BJT)的輸出特性
(B)與金氧半場效電晶體(MOSFET)相同,為電壓控制電流源元件
(C)其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極
(D)相較於雙極性接面電晶體(BJT)而言,其切換速度較慢

參考答案

答案:D
難度:簡單0.692
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