問題詳情

17. 如圖 ( 十一 ) 所示電路，若 MOSFET 的臨界電壓 ( threshold voltage ) VT = 2 V，且其參數K=1mA/V2。欲設計使其工作在VDS=4V，則RD的值應為何？
(A) 2 kΩ
(B) 4 kΩ
(C) 6 kΩ
(D) 8 kΩ

圖(十一) 

參考答案

答案：A
難度：適中0.537037
統計：A(29),B(7),C(6),D(8),E(0)