問題詳情

5. 有關MOSFET特性敘述，下列何者有誤？
(A)空乏型MOSFET結構上少了通道
(B)N通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSp為負值
(C)P通道增強型MOSFET之臨界電壓VGSt為負值
(D)N通道增強型MOSFET之VGS需大於VGSt才可能導通電流。

參考答案

答案：A
難度：計算中-1
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