問題詳情

4 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為

。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？


(A)

接點
(B)

接點層層
(C)

接點層層
(D)

接點層層層

參考答案

答案：A
難度：簡單0.654
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【劉詠遙】評論

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