問題詳情

二、一個 N+複晶矽-二氧化矽-p 型矽基板的 MOS 電容器內，當基板摻雜濃度減少時，請說明下列各參數有何變化，並簡單解釋。（每小題 4 分，共 20 分）
【題組】⑴累積區電容。

參考答案

答案：C
難度：適中0.643678
統計：A(46),B(7),C(168),D(18),E(0)