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• 11. 將三個電感值為 L 的電感串聯，其等效電感=？(A) L (B) L/3 (C) 3L (D) L3。
• 12. 將兩個電容值為 C 的電容並聯，其等效電容=？(A) 2C (B) C/2 (C) C (D)3C。
• 30. 下列何種水溶液呈鹼性？(A) NaCl(B) FeSO4(C) NH4Cl(D) Na2CO3
• 13. 以下將電源與多個電阻串聯電路的特性描述何者正確？(A) 電流處處相同 (B) 電壓降處處相同 (C) 總電阻小於各別電阻(D) 以上皆是。
• 14. 以下敘述何者錯誤？(A) 理想電壓源的內阻為無限大 (B) 將多個電器串聯在同一條線路上，若其中一個電器損壞，則所有電器將無法運作 (C) 封閉的電路中，電壓總和為零 (D)電感能儲存能量，是
• 15. 如下圖，將 a-b 端視為諾頓等效電路，求 a-b 端諾頓等效電阻=?(A) 2Ω (B) 3Ω (C) 5Ω (D) 6Ω。
• 33. 某 6 極、60 Hz、440 V 之三相感應電動機全壓啟動時，啟動電流為 200 A，啟動轉矩為 180Nt-m，若用電抗器由 50 % 抽頭啟動，則此電動機之啟動電流與啟動轉矩分別為多少？
• 31. 有關步進電動機之敘述，下列何者有誤？(A)角度誤差量很小 (B)改變定子繞組激磁順序，可控制正、反轉(C)以數位信號作開迴路控制 (D)轉動角度與輸入脈波數成反比
• 34. 有關三相感應電動機最大轉矩之敘述，下列何者正確？(A)最大轉矩與電源電壓成正比 (B)最大轉矩與同步角速度成正比(C)最大轉矩與轉子電阻值無關 (D)最大轉矩與定子電阻值成正比
• 37. 某 A、B 兩台各為 90 kVA 之單相變壓器作並聯運轉，供給 100 kVA 負載。A 和 B 之阻抗壓降百分比分別為 6 % 及 4 % ，則 A、B 分擔之負載各為多少？(A) 60
• 32. 連接於同一均壓線上之電樞繞組，各點於疊繞時，應相隔多少電機角？(A) 90°(B) 180°(C) 270°(D) 360°
• 35. 有關同步發電機之敘述，下列何者正確？(A)發電機激磁電流增加時，其輸出電壓下降(B)發電機輸出功率增加時，其功率角會增大(C)要改變輸出有效功率需調整激磁電流(D)要改變輸出無效功率需調整原動
• 36. 某 6 極直流發電機，其轉速為 1200 rpm，則旋轉過一個極距所需之時間為多少？(A) 1/160 秒 (B) 1/120 秒 (C) 1/60 秒 (D) 1/20 秒
• 38. 某 100 V 分激直流電動機，場電阻為 100 Ω，電樞電阻為 0.2 Ω，滿載時電源端電流為 50 A、轉速為 1800 rpm，則此電動機之電源端啟動電流為滿載電流的幾倍？(A) 1 倍
• 40. 某 6 極、220 V、△接之三相交流同步電動機，當加入三相平衡交流電源時，其中一組相間電壓為220 sin60πt V，則此同步電動機之轉速為多少？(A) 600 rpm (B) 540
• 39. 有關交流同步發電機之敘述，下列何者有誤？(A)電樞電壓為交流電 (B)負載端電壓為交流電(C)旋轉磁場切割靜止導體產生感應電勢 (D)需要換向片
• 2. 印度板塊的北部高山環繞，平均海拔達到了 5000 公尺，外來民族很難進入，而在興都庫什山脈與蘇里曼山脈中的山谷裡，有一條喀布爾河，沿著河流東進，就能到達印度河流域，這條通道就是唯一能夠進入印度半
• 3. 若盤面中的保險絲燒毀，下列何種處置最為正確？(A)查明並排除燒毀原因 (B)不立即復歸，過10分鐘後再通電(C)更換較大電流之保險絲 (D)更換耐大電流電線
• 4. 現場作業時，欲確認盤面(電路板)上某一點是否帶電，可使用三用電錶進行確認，請問此時三用電錶最合適選用的檔位為何？(A)電流檔 (B)歐姆檔 (C)電壓檔 (D)二極體檔
• 5. 矽、鍺半導體材料的導電性，隨溫度上升將產生何種變化？(A)成為絕緣體 (B)減少 (C)不變 (D)增加
• 56. What product would be obtained for the following reaction? (A) (B) (C) (D) (E)
• 6. 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問將形成P型或N型半導體？半導體內部的多數載子為何？此塊半導體的電性為何？(A) P型半導體、電洞、電中性 (B) P型半導體、電洞、正電(C) N型半導體、
• 7. 一般發光二極體，最主要的發光機制為何？(A)雪崩崩潰所誘發的發光現象(B)基板效應所產生的發光現象(C)電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象(D)電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象
• 8. 在未加壓情況下，PN接面的空乏區內，主要含有下列何者？(A)正離子與負離子 (B)電子與電洞 (C)電子 (D)電洞
• 9. 若PN接面的空乏區兩側，P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同，濃度較高者，該側空乏區寬度將如何變化？(A)較窄 (B)相同於另一側 (C)較寬 (D)無法比較