⑵已知一 n 通道增強型金氧半場效電晶體（E-MOSFET），其電路參數為：VTN = 1.5 V 和 Kn = 0.25 mA/V2。當 VGS=5 V、VDS=2.5 V，試計算其汲極電流（ID）

問題詳情

⑵已知一 n 通道增強型金氧半場效電晶體（E-MOSFET），其電路參數為：VTN = 1.5 V 和 Kn = 0.25 mA/V2。當 VGS=5 V、VDS=2.5 V，試計算其汲極電流（ID）值。（10 分）