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【題組】⑵ CD 切斷後之瞬間。 (10 分)
問題詳情
【題組】
⑵ CD 切斷後之瞬間。 (10 分)
參考答案
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【題組】⑶請比較使用銅優於鋁作為導線製程技術的原因,至少列出三項。(10 分)
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【題組】(22)
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【題組】(13)
【題組】⑷請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點,至少列出四項。(10 分)
【題組】(23)
【題組】(14)
【題組】⑵請寫出 pn 二極體中的接面定律(Law of the Junction)方程式,並說明其物理意義。(10 分)
10.下列有關t分配敘述,何者不正確?(A)期望值為0(B)偏態係數為0 (C)峰態係數為3(D)t分配較常態分配曲線平坦,即t分配曲線的高度較低。
【題組】(24)
【題組】(15)
二、【題組】⑴關於 npn 雙極性電晶體,若基極(Base)區使用漸進式(Graded)濃度的結構,請說明它可以提供的優點。(10 分)
6 設矩陣 ,則A3-2A2-A 為何?(A) 0 (B) 2A (C)3A (D)− 3A
【題組】(25)
【題組】(16)
【題組】⑵高電子遷移率電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)為常用於高頻通訊的元件之一,因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射(Impurity S
⑵某渦輪扇發動機(turbofan engine)在海平面靜力試驗之推力為 10,000 N,燃料流量率為 6,000 kg/hr,若核心空氣(core flow)流率為 100 kg/s,旁通比(b
11•有四组數字 Gl=(5,5,5,5,5)、G2=(7,6,5,6,7)、G3=(9,7,5,7,9)、G4=(3,4,5,4,3),哪一組資料的標 準差最大?(A) G1(B) G2(C) G3
【題組】(26)
【題組】(17)
三、【題組】⑴為什麼在金氧半場效電晶體(MOSFET)的通道所計算的載子遷移率和一般半導體材料(semiconductor material)量測的載子遷移率是不同的?請說明原因。(10 分)
二、為了降低飛機降落距離(landing distance),可以採用推力反向器(thrust reverser)之設計。某渦輪扇發動機(turbofan engine)裝設推力反向器(thrust
12•如果一個統計量的期望值等於被估計的母數,則稱該統計量具有下列哪一種性質?(A)不偏性(B)有效性(C) 一致性(D)充分性
【題組】(27)
【題組】⑵請說明什麼是鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET),它有什麼優點?(10 分)
三、若進氣道之入口面積為 5.0 m2,進氣之馬赫數為 M1=0.7,發動機飛行高度為1,000 m,飛行馬赫數為 M0=0.3,請計算進氣之 additive drag。(20 分)註:(A/A*)
13.下列何者為不連續機率分配?(A)常態分配(B)矩形分配(C)指數分配(D)卜瓦松分配
四、【題組】⑴請分別繪出由擴散與離子佈植所形成的摻雜濃度對深度的分布圖,並說明它們之間的差異。(10 分)