問題詳情

13. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者有誤？(

為閘極至源極之電壓)
(A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在
(B)空乏型N通道MOSFET其

可接負電壓或正電壓
(C)增強型P通道MOSFET其

若接正電壓，則無法建立通道
(D)增強型N通道MOSFET臨界電壓

之值為正

參考答案

答案：A
難度：簡單0.743
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【蔡季行】評論

空乏型MOSFET有內建通道