問題詳情

106. 半導電製程中的化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是利用機械配合適當的化學助劑，以將高低起伏不一的晶片表面、輪廓一併加以磨平。下列何項是化學機械研磨時常用的金屬膜研磨液？
(A)SiO2系
(B)Al2O3系
(C)SiF4系
(D)H3PO4系。

參考答案

答案：B
難度：適中0.444444
統計：A(4),B(4),C(1),D(0),E(0)