問題詳情

12 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？
(A)電晶體操作在飽和（saturation）區時之轉導值 （transconductance）較操作於順向主動區（forward active region）時為大
(B)電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗

較操作於順向主動區時為大
(C)操作於放大器模式時，基集極接面應避免順向偏壓
(D)電晶體操作在截止（cutoff）區時，基射極接面必為順向偏壓

參考答案

答案：C
難度：適中0.586
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用户評論

【Rascal】評論

轉導值gm = IC / VT    (gm及IC成正比)飽和區電流IC > 工作區電流IC飽和區gm > 工作區gm請問這題(A)選項錯在哪裡？

【阿中】評論

解釋選項(A)BJT具有三個操作區，下面討論主動區及飽和區一、主動區(工作區或是定-電流區):此區的IC並不會隨VCE做明顯地變化，符合IC=β*IB ，故此電流可視為固定。二、飽和區:當VCE變成很小時，BJT便會進入此區，此狀況下電子將不再為基-極所收集，而使集極電流零降低，故 IC<β*IB。根據圖(一)輸出特殊曲線、上面描述、轉導值gm = IC / VT(VT固定值) 得飽和區IC小於工作區IC，飽和區(gm)就比工作區(gm)的小。                           (圖一)解釋選擇(B)，由圖(二)得知ro為斜率的倒數，再搭配圖(一)可知，飽和區的斜率大於工作區，因為是倒數關係，所以飽和區的ro小於工作區ro。