資訊推薦

• 112. N 型半導體中少數載體係下列何者？(A)離子(B)質子(C)電洞(D)電子。
• 113. 電晶體之 β=50，測得基極電流 IB =0.5mA、集極電流 IC =10mA，則此電晶體工作於何區？(A)工作區(B)飽和區(C)截止區(D)游離區。
• 114. 下列何者為達靈頓電晶體的特性？(A)輸入阻抗低、輸出阻抗高(B)輸出阻抗低、電流增益小於 1(C)輸入阻抗高、電壓增益大於 1(D)電壓增益小於 1、電流增益大於 1。
• 123. 作為運算放大器的輸入級的電路，為下列何者？(A)箝位電路(B)差動放大電路(C)史密特觸發電路(D)取樣電路。
• 115. IC 內的電晶體製造時，何者的雜質濃度最高？(A)集極(B)基極(C)射極(D)基底。
• 133. SCR 觸發導通的瞬間，須在電路中加入何種元件來抑制過大的 di/dt？(A)電感器(B)電阻器(C)電容器(D)二極體。
• 124. 下列何者不是推挽式放大器的特性？(A)具有抵銷偶次諧波失真的作用(B)具有抵銷電源漣波的作用(C)可工作在 C 類放大(D)輸出功率為兩個主動元件輸出之和。
• 116. 關於電晶體的漏電電流敘述，下列何者正確？(A)ICEO =β ICBO (B)ICBO =β ICEO (C)ICBO =α ICBO(D)ICBO = α ICEO 。
• 143. 於一無線電波，如其波長為 λ，頻率為 f，速度為 c，則三者的關係為下列何者？(A)λ=f．c(B)c=f．λ(C)f=c / λ(D)c=f / λ。
• 134. 電感性直流負載的控制電路中，需在負載兩端並聯何種元件來消除負載所產生的反電勢？(A)電感器(B)電阻器(C)電容器(D)二極體。
• 125. 下列何種放大器將產生交叉失真？(A)A 類(B)AB 類(C)B 類(D)C 類。
• 153. 以下穩壓 IC 的輸出電壓，下列何者正確？(A)7905 輸出–5V(B)7805 輸出+5V(C)8705 輸出+5V(D)7812 輸出+12V。
• 117. 在 IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻，下列何者不是其取代的原因？(A)使 IC 的體積減小(B)使輸入阻抗增加(C)使小訊號電壓放大倍數增加(D)使輸出阻抗增加。
• 144. 電晶體之 IC =2mA，IE=2.02mA，下列各值何者正確？(A)IB=2mA(B)βdc= 100(C)βdc= 1000(D)IB=0.02mA 。
• 135. 稽納二極體的穩壓電路中，若 VI 為 40V~60V，RL 為 500Ω~1000Ω，則稽納二極體在何種情況下功率消耗最大？(A)VI =60V、RL =500Ω(B)VI =60V、RL
• 126. 帶通濾波器的中心頻率為 fr，品質因素為 Q 則其頻帶寬度 BW 為下列何者？(A)fr/Q(B)fr/Q (C)fr/Q (D)fr/Q 。
• 175. 下列何者電纜佈放於電桿上？(A)CCP-LAP-SS(B)FS-STP(C)FS-JF(D)PE-PVC 電纜。
• 118. BJT 差動放大器的輸出電壓若欲維持±1%的誤差，則輸入電壓最大需保持在多少電壓範圍之內？(A)±13mV(B)±18mV(C)±26mV(D)±36MV。
• 145. 電晶體當作電子開關時，它是工作於那些操作區？(A)截止區(B)線性區(C)飽和區(D)動作區。
• 136. 電晶體放大器的 h 參數表示為：Vi =hi Ii +hr Vo ，Io =hf Ii +ho Vo ，而其 RL =-Vo /Io ，此電路之電流增益 Af =-Io /Ii 為何？(A)
• 127. 負回授放大器的回授率為 0.2，而未回授前的增益為 100，則此負回授放大器的增益為何？(A)4.76(B)5.26(C)10(D)20。
• 176. 電信室之面積與引進電纜總對數之關係為(A)對數越少，面積越大(B)6000P 以下對數越多，面積越大(C)對數與面積無關(D)2001P 以上維持一定面積。複選題：
• 119. 橋式整流電路中二極體的逆向破壞電壓，需為外加電壓最大值的幾倍？(A)1 倍(B)2 倍(C)3 倍(D)4 倍。
• 146. CMOS 的敘述，下列何者正確？(A)由 n-MOS 與 p-MOS 組成(B)為互補型 MOS(C)可當開關使用(D)是由電流控制。
• 137. 稽納二極體的稽納崩潰敘述，下列何者錯誤？(A)大多發生在高摻雜的二極體(B)崩潰電壓一般小於 5V(C)若發生崩潰現象則不能使用(D)崩潰現象係由於高電場所造成。