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34.理想運算放大器的電壓隨耦器如【圖 34】所示，其電壓增益為何？ (A) -0.5 (B) -1 (C) 1 (D) 0.5
問題詳情
34.理想運算放大器的電壓隨耦器如【圖 34】所示，其電壓增益
為何？
(A) -0.5
(B) -1
(C) 1
(D) 0.5
參考答案
答案：C
統計：A:0,B:0,C:1,D:0,E:0
難度：計算中
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33.有關 MOSFET 放大電路的敘述，下列何者正確？ (A)共閘極放大電路其輸入端為源極，輸出端為汲極 (B)共汲極放大電路其輸入端為源極，輸出端為閘極 (C)共閘極放大電路其輸入端為汲極，輸出端
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35.有關 P 型半導體與 N 型半導體的敘述，下列何者正確？ (A) P 型半導體的多數載子為電子 (B) N 型半導體為本質半導體摻雜三價元件 (C) P 型半導體為本質半導體摻雜五價元件 (D)
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37.有關 MOSFET 作為線性放大器需操作於何區？ (A)歐姆區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)三極區
38.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 38】所示，若 BJT 切入電壓 VBE = 0.7V，β = 100， VBB = 5.7V，VCC = 10V， RC = 2kΩ ， RB
39.橋式整流電路如【圖 39】所示，若交流側輸入電壓有效值ES 為 100V，則輸出電壓平均值約為何？(A) 141.4V (B) 100V (C) 90V (D) 63.6V
40.如【圖 40】所示電路，二極體為理想特性，若 VDD = 6V，R1 =1kΩ，則電流 IR 為何？(A) 2 mA (B) 3 mA (C) 4 mA (D) 6 mA
41.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 41】所示，若 BJT 的 β = 100，RC=500Ω，VCC=10V， IB=1mA，則下列何者正確？(A)電晶體操作於主動區 (B)電晶體
42.如【圖 42】所示之理想運算放大電路，R1=R2=10kΩ，Rf=R3=20kΩ，若 V1=2V、V2=3V，則在正常操 作其輸出電壓 V0 為何？(A) 2V (B) 4V (C) 5V (D
43.由 MOSFET 組成數位邏輯閘如【圖 43】，此為何邏輯閘？(A)及閘(AND gate) (B)或閘(OR gate) (C)反及閘(NAND gate) (D)反或閘(NOR gate)
44.雙極性接面電晶體(BJT)操作於主動區其 T 型小信號模式如【圖 44】所示，BJT 的 β = 50 ，熱電壓 VT =25mV，若直流偏壓的集極電流 IC =1.2mA，則轉移電導(互導)g
45.雙極性接面電晶體(BJT)在主動區操作其混合 π 型小信號模式如【圖 45】所示，BJT 的 β = 100 ，熱電壓 VT = 25mV ，若直流偏壓時的電流 IB = 25 μA ，則電阻
46.共射極放大電路如【圖 46】所示，BJT 的 β = 50 、切入電壓 VBE = 0.7V、RC = 2kΩ，VCC = 12V， 若直流偏壓的 VCE = 6V ，則電阻 RB 約為何？(A
47.共源極放大電路如【圖 47】所示，若 MOSFET 小信號模式的轉移電導 gm = 2mA\/V 、輸出電阻 rd = 50kΩ ，忽略電容 CD 及 CG效應，則小信號的電壓增益為何？(A)
48.理想運算放大電路如【圖 48】所示，若輸入電壓 vi = 0.1sin(250t) V ，輸出電壓 vo = 2.0sin(250t) V， 則電阻 R1 為何？(A) 10 kΩ (B) 5
49.反相輸入型施密特(Schmitt)觸發器如【圖 49】所示，R1 = 1kΩ，R2 = 9kΩ ，輸出的飽和電壓 Vsat 約 為±10 V，此遲滯(hysteresis)電壓 VH 為何？(A
50.考畢子振盪器(Colpitts oscillator)如【圖 50】所示，電路的振盪頻率 fo 為何？(A) (B)(C) (D)
2.甲公司購入$40,000 之商品存貨，並支付進貨運費$450。甲公司進貨後的第三天即退回$1,350 之商品， 並且在現金折扣期間內付款，取得 2%之折扣。甲公司為此批商品存貨共支付了多少現金？
3.甲公司於 X1 年 1 月 1 日購買機器設備一部，估計該機器之耐用年限為 6 年，殘值為$12,000，甲公 司採年數合計法攤提各年度之折舊；已知，X4 年之折舊費用為$12,600，該機器之成
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6.甲公司於 X2 年 8 月 1 日簽發一張面額$16,000，利率 1.5%，16 個月期的票據一紙。此票據於 X2 年 12 月 31 日之財務報表表達，下列敘述何者正確？ (A)流動負債$0
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