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• 26.矽二極體在溫度 25℃時之逆向飽和電流為 10nA，若溫度上升至 55℃時，逆向飽和電流變為多少？(A) 30nA (B) 80nA (C) 3.33nA (D) 1.25nA
• 27.電晶體當開關使用時，當電晶體完全導通，則其：(A) IB≒0 (B) IC≒0 (C) IE≒0 (D) VCE≒0
• 28.電晶體(BJT)放大電路三組態中，下列何種組態的輸入電壓信號與輸出電壓信號相位相差 180o？(A)共集極組態 (B)共射極組態 (C)共基極組態 (D)共集極與共基極組態均會
• 29.有一電晶體放大器在工作區時，其 IB = 50μA，IC = 10mA，則 β 值為何？(A) 0.95 (B) 2 (C) 200 (D) 500
• 30. FET 不具備下列何項元件之功用？(A)開關 (B)放大 (C)電阻 (D)整流
• 31.如【圖 31】中 OPA 為理想運算放大器 Vcc=15V，輸入信號：Vin 為三角波，其峰值為 10mV、平均値為 0，則 Vout 為何？ (A)峰值為 15V 方波(B)峰值為 15V 三
• 32.如【圖 32】所示，求電流 I 之大小為何？ (A) 1mA (B) 2.5mA (C) 5mA (D) 5.5mA
• 33.如【圖 33】所示電路，射極旁路電容器 CE 之主要功能為何？ (A)提高偏壓穩定度 (B)提高輸入阻抗(C)保護電晶體(避免射極電流過大而燒毀) (D)提高交流信號的電壓增益
• 34.如【圖 34】所示為下列何種電路？ (A)微分器(B)反相器(C)比較器(D)積分器
• 35.雙極性電晶體(BJT)放大器三種組態中，共集極放大器之特點為何？(A)電壓增益最小 (B)輸入阻抗最小 (C)輸出阻抗最大 (D)電流增益最小
• 36.如【圖 36】所示，求電壓增益 AV=Vo/Vi 為何？ (A) 2(B) 3(C) -1(D) -0.5
• 37.如【圖 37】所示之電路為下列何種濾波電路？ (A)帶通濾波器 (B)帶拒濾波器 (C)高通濾波器 (D)低通濾波器
• 38.正反器可由下列何種電路來組成？(A)史密特觸發器 (B)無穩態多諧振盪器 (C)單穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器
• 39.下列何者為 N 通道場效電晶體(FET)之電荷載子？(A)主載子為電洞、副載子為電子(B)主載子為電子、副載子為電洞(C)電子(D)電洞
• 40.如【圖 40】所示電路（假設 C、RL值均很大），Vi 為 AC100V、60Hz 正弦波，則 Vo約為何？ (A) 28V(B) 20V(C) 7V(D) 90V
• 41.如【圖 41】所示電路，假設 D 為理想二極體，輸入信號(Vi)為 5kHz、峯對峯值為 20V 之方波（其平均值為 0V），則輸出電壓 Vo的平均值為何？ (A) 0V(B) -11V(C)
• 42.如【圖 42】所示電路，電晶體為矽質材料，工作於正常線性放大區域，求 IC 值為何？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA (D) 4mA
• 43.有關振盪器的敘述，下列何者錯誤？(A)石英晶體振盪器的輸出頻率最穩定(B) RC 相移振盪器至少需 3 級 RC 電路來做相移(C)哈特萊振盪器的輸出是高頻方波(D)韋恩電橋振盪器輸出是低頻弦波
• 44.如【圖 44】所示之電路，射極電壓 VＣ約為何？ (A) 3V (B) 6.6V (C) 9.1V (D) 15.5V
• 45.如【圖 45】所示電路，求 Vo大小為何？ (A) -3V (B) -4V (C) 2V (D) 5V
• 46.兩級串接放大電路，其電流增益分別為 Ai1=100，Ai2=150，若負載阻抗為 1kΩ，第一級輸入阻抗為150kΩ，求電路總電壓增益的 db 值為何？(A) 20db (B) 30db (C)
• 47.有關場效電晶體，下列敘述何者正確？(A) P 通道空乏型 MOSFET，閘極加上正電壓時，通道寬度變小(B) N 通道增強型 MOSFET，閘極不加電壓時，通道內有電子，可供汲、源(D、S)極導
• 48.當 NPN 電晶體操作於飽和區時，下列敘述何者正確？(A) VBE＞0，VBC＜0，VCE＞0 (B) VBE＜0，VBC＞0，VCE＞0(C) VBE＜0，VBC＞0，VCE＜0 (D) VB
• 49.如【圖 49】所示 OPA 電路，輸入信號 Vi= 2+0.1sin(ωt+θ) V，假設 ωC 值趨近於無限大，則 VO為何？ (A) 2+0.1sin(ωt+θ) V (B) 2+0.3si
• 50.如【圖 50】所示之電路（矽電晶體），VC 約為多少？ (A) 0.2V (B) 9.5V (C) 12.3V (D) 20V