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• 29. 【圖 29】的正弦交流電壓波型，其頻率為多少?(A) 10 Hz (B) 20 Hz (C) 50 Hz (D) 50 rad
• 30. 在本質半導體中，由於外加電壓而產生的電流，稱為: (A) 漂移電流 (B) 擴散電流 (C) 電子流 (D) 漏電流
• 31. 有一 P 通道增強型 MOSFET，該晶體的臨界電壓 VT=-3V，當輸入電壓 VGS=-5V 時，MOSFET 工作於夾止飽和區，參數 k=0.5mA\/V²，則輸出的直流偏壓電流 IDQ
• 32. 在 N 型半導體中主要的多數導電載體為? (A) 帶正電的電子 (B) 帶負電的電子 (C) 帶正電的電洞 (D) 帶負電的電洞
• 33. 【圖 33】所示的變壓器電路，N1:N2=5:1，假設在輸入端 V1 施加 10V 的直流電，則輸出端的電壓為多少?(A) 0.4 V (B) 2.0 V (C) 50 V (D) 0 V
• 34. 【圖 34】所示的電晶體放大電路，集極電流IC為多少安培?(A) 0.1 mA (B) 0.107 mA (C) 5.0 mA (D) 10.0 mA
• 35. 有一正弦波電壓 v(t) = 100 sin(5,000t) mV，則此交流電壓的有效值為: (A) 141 V (B) 100 V (C) 70.7 V (D) 50 V
• 36. 由電晶體所組成的達靈頓對放大電路，下列敘述何者錯誤? (A) 輸入阻抗高、輸出阻抗低 (B) 電壓放大率接近於 1、但小於 1 (C) 電壓放大率遠大於 1，但功率放大率小於 1 (D) 電流
• 17. 如下圖所示電路，假設 N 通道 MOSFET 電晶體工作點之＝0.6mA，臨界電壓＝1V，電容值視為無窮大，試求其小訊號電壓增益為？ (A)-10 (B)-8 (C)-6 (D)-4
• 14. 如下圖所示電路,假設 OPA 為理想運算放大器,輸出 Vo為工作週期10%的脈波,則Vn電壓應調整為何? (A) 0.6V (B) 0.7V (C) 0.8V (D) 0.9V
• 37. 【圖 37】方塊內由電感及電容所組成的濾波電路，是屬於:(A) 高頻通過的高通濾波器(high-pass filter) (B) 低頻通過的低通濾波器(low-pass filter) (C)
• 15. 如下圖所示,左邊為電路圖,右邊為此電路之輸入與輸出波形圖,則下列何者正確? (A) V1 = 2.7V, V2 = 1V (B) V1= 1.7V, V2= 1V. (C) V1= 2.7V
• 18. 如下圖所示電路之輸出電壓 Vo為多少？ (A)-4V (B) 4V (C)-8V (D)8V
• 19. 如下圖所示理想運算放大器電路，若 R1=2k、R2=6k、R3=3k、R4=6k，今輸入訊號 Vi=1mV，則輸出電壓 Vo為若干 mV? (A)4 (B)8 (C)-4 (D)-8
• 20. 某差動放大器其輸入、CMRR=20dB，則其輸出訊號電壓約為？ (A)0.5mV (B)2mV (C)2.5mV (D)5mV
• 38. 【圖 38】所示由理想運算放大器 OPAMP、電阻及電容所構成的電路，下列選項何者正確?(A) (B)(C)(D)
• 21. 如圖所示，穩定後 (t→∞) ，C2 兩端電壓為 (A)100V (B)66.6V (C)50V (D)33.3V
• 39. 目前最常用的白光發光二極體 LED，主要是靠什麼方法發出白光? (A) 藍光二極體搭配黃色螢光粉 (B) 藍光二極體搭配紅色螢光粉 (C) 紅光二極體搭配黃色螢光粉 (D) 紅光二極體搭配白色
• 22. 如圖所示電路節點 V1 及 V2 的電壓值，各為多少 V？ (A) V1=6V ，V2=4V (B) V1=6V，V2=10V (C) V1 =7V ，V2 =4V (D) V1 =7V，V2
• 23. 某一平衡三相 Y 接發電機，若相電壓為220V ，則其線電壓為 (A)73.33V (B)127V (C)220V (D)381V
• 24. 下列有關功率因數(P.F.)的敘述，何者正確？ (A)-1<P.F.<0 (B)純電阻之P.F.=1(C)純電容之P.F.=1(D)純電感之P.F.=1
• 25. RL 串聯電路中，R 10 = Ω，L=1mH，若加上 100V 直流電源予以充電，則在開始充電瞬間，電感電壓 為 (A)0V (B)1V (C)10V (D)100V
• 26. 兩個法拉數標示不清之電容器 C1及 C2，已知其均可耐壓 600V，某甲先將它們完全放電並確定其端電壓為0V，再以1mA 之定電流源分別對其充電 1 分鐘，結果其端電壓各為 V1 = 100V
• 40. 【圖 40】所示符號，分別代表什麼電子元件?(A) (a)是 P 通道增強型 MOSFET；(b)是 NPN 電晶體 (B) (a)是 P 通道空乏型 MOSFET；(b)是 NPN 電晶體
• 41. 二極體的 PN 接合面有空乏層(depletion layer)存在，下列敘述何者錯誤? (A) 二極體施加順向偏壓時，空乏區變小 (B) 二極體施加逆向偏壓時，空乏區變大 (C) 空乏層中沒