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• 39.有關電晶體放大電路的三種基本組態(CE、CB、CC)之敘述，下列何者錯誤？(A)共基極(CB)電路具有最低的輸入阻抗及最高的輸出阻抗(B)共集極(CC)電路的電壓增益略小於1(C)共射極(CE)
• 40.有一三級串接放大器，各級電壓增益分別為40、125、200，求其總增益為多少分貝？(A) 60 dB (B) 120 dB (C) 235 dB (D) 365 dB
• 41.交流電路中電容器之電抗用 表示，其電抗值之敘述，下列何者錯誤？(A)與電容值成反比 (B)與頻率值成反比(C)與電壓值成正比 (D)與電流值無關
• 42. R-L-C串聯電路，如【圖42】所示電路之總阻抗為多少？ (A) 6 Ω(B) 10 Ω(C) 14 Ω(D) 22 Ω
• 43.如【圖43】所示電路，若以一理想交流伏特表測得 = 80 V， = 20 V， = 80 V，則電源為多少？ (A) 20 V (B) 80 V(C) 100 V (D) 200 V
• 44.有一RL串聯電路，已知功率因數0.6、有效功率P=12 kW，求電路虛功率為多少？(A) 0 kVAR (B) 8 kVAR(C) 16 kVAR (D) 20 kVAR
• 45.如【圖45】所示，電路之消耗功率為多少？ (A) 900 W (B) 1000 W (C) 1200 W (D)
• 46.四色碼電阻，規格為8.3kΩ ±5%，則其色碼應為何色組？(A)藍紅橙金 (B)灰橙紅金(C)白紅橙金 (D)黑橙紅金
• 47.將12伏特的電壓加在一個色碼電阻上，若此色碼電阻之色碼依序為藍黑黃金，則此電阻流過電流為：(A) 20μA (B) 60μA (C) 200μA (D) 12 mA
• 48.有一純銅線在溫度25°C時期電阻為10 Ω，當溫度上升至75°C時，其電阻約為多少？(A) 5.8 Ω (B) 8.2 Ω (C) 11.9 Ω (D) 16.1 Ω
• 49.有一交流負載阻抗為6+j6Ω，則其通交流電後產生之功率因素為多少？(A) 0.5 (B) 0.64 (C) 0.71 (D) 0.8
• 50.如【圖50】所示電路，若L1= 6 H，L2= 10 H，兩線圈的互感M =2 H，求並聯總電感為多少？ (A) 2.3 H (B) 2.8 H (C) 12 H (D) 20 H
• 51.有一60 Hz交流正弦波，啟始值為0°在經過秒瞬間，此時的電工角為多少？(A) 30° (B) 45° (C) 60° (D) 90°
• 52.有一交流電壓源其內阻為6+j8Ω，若欲獲得最大功率輸出，其負載阻抗應為多少？(A) 6- j8Ω (B) 6+j8Ω (C) 6 Ω (D) 10 Ω
• 53.有一電熱器之電阻值為5Ω，當通以10安培之電流時損失不計，則該電熱器每秒產生的熱量為多少？(A) 240卡 (B) 500卡 (C) 120卡 (D) 50卡
• 54. P通道接面場效電晶體(JFET)之電荷載子為何？(A)電子 (B)主載子為電洞、副載子為電子(C)主載子為電子、副載子為電洞 (D)電洞
• 55.有一JFET動作於夾止區，若夾止電壓Vp = −4V， ，求 =−2V時的 值為多少？(A) 2 mA (B) 4 mA (C) 8 mA (D) 10 mA
• 56.有關場效電晶體的敘述，下列何者錯誤？(A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體(B)場效電晶體的主要型式有JFET，空乏型MOSFET，增強型MOSFET(C)場效電晶體以控制通道之寬度而達到控
• 57.空乏型N通道MOSFET中，下列哪一項可使元件不導通？(A) ＞ 0 (B) =0(C) ＞＞ 0 (D) ＜＜ 0
• 58.欲使增強式N通道MOSFET工作於飽和區，其偏壓條件為何？(A) ＞ ， ＞ − (B) ＞ ， ＜ − (C) ＜ ， ＞ − (D) ＜ ， ＜ −
• 59.如【圖59】所示電路，工作點設置於 ，則 與 分別為多少？ (A) (B) (C) (D)
• 60.如【圖60】所示電路為N通道空乏型MOSFET的偏壓電路，設 ，MOSFET的 ，則直流偏壓值 與 為何？ (A) (B) (C) (D)
• 61.如【圖61】所示電路，忽略 ，若 = 4mA/V，Rs = 1kΩ，則Av=Vo/Vi為多少？ (A) 0.5(B) 0.8(C) 0.9(D) 1
• 62.有一個OPA的迴轉率SR為2V/μs，當輸入信號在10μs內變動0.5V，則在不失真的情況下，該放大器之Av =？(A) 10 (B) 20 (C) 30 (D) 40
• 63.如【圖63】所示，若Vi=10sinωt伏特，且OPA之正、負飽和輸出電壓為±10V，則輸出電壓Vo範圍為何？ (A) 0V(B) −10V～+10V(C) 0～+10V(D) −10V～0V