問題詳情

38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型（Depletion mode）MOSFET 電路，其參數值如下：VDD＝5 V，ID＝0.5 mA，Vtn（臨限電壓）＝－2 V，若此電晶體被偏壓在非飽和區工作，則電阻 Rs至少須為多少？
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ


參考答案

答案：A
難度：適中0.6875
統計：A(22),B(1),C(4),D(3),E(0)