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26. [ ] 如右圖所示之穩壓電路，在正常工作下，當Vs固定而 RL變大時，下列敘述何者正確？(A) IS變大 (B) IL變大(C) IL不變 (D) IZ變大。
問題詳情
26. [ ] 如右圖所示之穩壓電路，在正常工作下，當Vs固定而 RL變大時，下列敘述何者正確？
(A) IS變大
(B) IL變大
(C) IL不變
(D) IZ變大。
參考答案
上一篇 :
1. 有一 2 歐姆的導線，若將其拉長使其長度為原來的兩倍，求拉長後之電阻值為多少？ (A)1 歐姆 (B)2 歐姆 (C)4 歐姆 (D)8 歐姆
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27. [ ] 如右圖所示之電路，其功能為何？(A)電壓放大器 (B)峰值檢波器(C)截位器 (D)定位器。
資訊推薦
28. [ ] 如右圖所示，下列答案之敘述，何者錯誤？(A)輸出點為兩個電晶體的源極(B)此電路接地之電晶體為 NMOS(C)實現這個電路需要用 CMOS 製程技術(D)這個電路為一個反相器。
29. [ ] 如右圖所示電路，A 與 B 為輸入，VO為輸出，則此電路可執行何種邏輯函數？(A) NAND (B) NOR(C) AND (D) OR。
30. [ ] 在 CMOS 積體電路製程中，電晶體的閘級(Gate)是使用那層材料製作而成？(A)Oxide 層 (B)Metal 層 (C)Poly 層 (D)以上皆可。
31. [ ] 電晶體做為開關用途時，是操作於那些區？(A)截止區與作用區 (B)截止區與飽和區(C)僅於作用區 (D)作用區與飽和區。
32. [ ] 一般基本放大器加上負回授後，下列特性敘述，何者錯誤？(A)放大器增益會衰減 (B)增益與頻寬的乘積提高(C)頻寬會增加 (D)雜訊對電路的影響降低。
33. [ ] 有關理想運算放大器的搭述，下列何者錯誤？(A)開路電壓增益趨近無窮大 (B)輸入阻抗趨近無窮大(C)輸出阻抗趨近無窮大 (D)頻帶寬度趨近無窮大。
34. [ ] 如右圖所示電路，為一偏壓電路及其直流輸出負載線，若原工作點在 Q1位置，欲 修正工作點至 Q2位置，則應： (A)減少 RB(B)增加 RB(C)減少 RC(D)增加 RC。
35. [ ] 二極體的空乏區，隨著逆偏電壓的增加而產生何種變化？(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)先增後減。
31.在複數平面上，下列各敘述哪些正確？(A)對任意三相異複數z1， z2, z3，若 為實數，則 之對應點為直角三角形的三頂點(B)以 為頂點的三角形是直角三角形(C) 三點共線(D) 三點共線(E
37. [ ] 在 P 型半導體中，導電的多數載子為何者？(A)電子 (B)原子核 (C)電洞 (D)離子。
36. [ ] 如右圖所示電路，V1 = 1V，V2 = 2V，V3 = 3V，則輸出電壓 Vo為何？(A) -9V (B) -7V(C) 7V (D) 9V。
38. [ ] MOSFET 是以何種效應控制汲極與源極間之電流？(A)磁場效應 (B)電場效應 (C)光電效應 (D)霍爾效應。
39. [ ] 下列何者為主動元件？(A)電容 (B)電感 (C)電阻 (D)電晶體。
41. [ ] 功率電晶體的集極與外殼通常接在一起，其主要目的為何？(A)美觀 (B)製造方便 (C)散熱效佳 (D)易於辨認。
43. [ ] 下列關於 CMOS 數位電路之敘述，何者錯誤？(A)將數位電路的操作頻率提高，電路的功率消耗會越大(B)將數位電路線路上的雜散電容降低，電路的功率消耗會越小(C)將數位電路的操作電壓降
42. [ ] 如右圖所示之電路，輸出電壓 Vo為何？(A) +Vm (B) -Vm(C) +2Vm (D) -2Vm。
44. [ ] 在積體電路製程中，下列最佔晶片面積的元件為何？(A)電容 (B)電感 (C)電阻 (D)電晶體。
45. [ ] 有關主動濾波器及被動濾波器之敘述，下列何者錯誤？(A)主動濾波器一般採用主動元件搭配被動元件設計(B)被動濾波器不包含主動元件(C)主動濾波器可適用於低頻範圍之應用(D)被動濾波器之最
40. [ ] 如右圖所示電路，若該電路中 D1、D2 和D3 皆為理想二極體，且以正邏輯系統來看，接近 0V 之電壓值代表邏輯 0，而靠近+5V 之電壓值代表邏輯 1，則該電路輸出vY與輸入 vA、
46. [ ] 如右圖所示之電路，其功能為何？(A)半波整流器 (B)全波整流器(C)積分器 (D)微分器。
47. [ ] 下列關於 BJT 電晶體射極隨耦器之特性敘述，何者錯誤？(A)輸出訊號與輸入訊號相位相同 (B)電壓增益略小於 1(C)電流增益低於 1 (D)輸入阻抗甚高。
48. [ ] 有一電晶體偏壓於作用區，測得 IB = 0.05 mA，IE = 5 mA，則此電晶體的α參數值為多少？(A) 0.01 (B) 0.99 (C) 0.9 (D) 9.9。
50. [ ] 下列有關達靈頓(Darlington)電路之敘述，何者正確？(A)電壓增益與輸出阻抗甚高 (B)電流增益與輸出阻抗甚高(C)電壓增益與輸入阻抗甚低 (D)輸出阻抗低，為串級直接耦合電路
49. [ ] 下列關於 MOSFET 的敘述，何者錯誤？(A)MOSFET 有空乏型及增強型兩種型式 (B) MOSFET 有 N 通道及 P 通道兩種 (C) MOSFET 是電流控制元件 (D)
1. Thank you for inviting us; Either John is coming, or I _____.(A) is(B) am (C) are (D) being
