問題詳情

11下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？
(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升

參考答案

答案：C
難度：適中0.67033
統計：A(4),B(8),C(61),D(12),E(0)

用户評論

【pole~zero】評論

(c)-2mv/c

【上榜!】評論

(C)Si: -2.5mv/度Ge: -1mv/度